[实用新型]一种高性能DFB激光器结构有效
| 申请号： | 202020592143.7 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN212162330U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;陈阳华;姜伟;方天足 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323;H01S5/343;C23C14/06;C23C14/28;C23C16/30;C23C16/44;C23C28/04 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 dfb 激光器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N-InP缓冲层、N-AlInAs外延层、N-AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P-AlGaInAs波导层、P-AlInAs限制层、P-InP限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；其特征在于：在所述N-InP缓冲层与所述N-AlInAs外延层中间插入一层N-InAlAsP。
2.根据权利要求1所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述N-InAlAsP材料采用(Al0.48In0.52As)X(InP)(1-X)表示。
3.根据权利要求2所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述Al0.48In0.52As材料与InP晶格匹配。
4.根据权利要求1所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述N-InAlAsP材料采用MOCVD生长。
5.根据权利要求1所述的一种高性能DFB激光器结构，其特征在于：所述InP基底电导率为2-8x1018cm-2。
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