[实用新型]用于等离子体处理系统的边缘环和包括该边缘环的系统

说明书

本实用新型涉及一种用于等离子体处理系统的边缘环，所述边缘环包括：环形体；从所述环形体向下延伸的径向内支腿；以及从所述环形体向下延伸的径向外支腿。空腔位于所述径向内支腿和所述径向外支腿之间。P个凹槽配置为容纳边缘环提升销。所述P个凹槽的间距为360°/P。所述P个凹槽位于所述径向外支腿的径向内表面上，与所述径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。还涉及包括该边缘环的系统。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月13日提交的美国临时专利申请序列号62/976,088和2019年8月5日提交的美国临时专利申请序列号 62/882,890的权益。通过引用将上述申请的全部公开内容并入本文。

技术领域

本实用新型涉及边缘环，更具体地涉及用于衬底处理系统的带有提升销凹槽的边缘环。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体上介绍本实用新型的上下文。在此背景技术部分中所描述的范围内，目前提名的发明人的工作成果，以及在申请时可能无法另外视为现有技术的描述内容，均未明确或暗含地被承认为相对于本实用新型的现有技术。

衬底处理系统在诸如半导体晶片之类的衬底上执行处理。衬底处理的示例包括沉积、灰化、蚀刻、清洁和/或其他过程。可以将处理气体混合物供应到处理室以处理衬底。等离子体可用于点燃气体以增强化学反应。

在处理期间，将衬底布置在衬底支撑件上。边缘环包括环形体，该环形体围绕并邻近衬底的径向外边缘布置。边缘环可用于将等离子体成形或集中到衬底上。在操作期间，衬底和边缘环的暴露表面被等离子体蚀刻。结果，边缘环磨损并且边缘环对等离子体的影响随时间变化。

实用新型内容

一种用于等离子体处理系统的边缘环，其包括：环形体；从环形体向下延伸的径向内支腿；以及从环形体向下延伸的径向外支腿。空腔位于径向内支腿和径向外支腿之间。P个凹槽配置为容纳边缘环提升销。P个凹槽的间距为360°/P。P个凹槽位于径向外支腿的径向内表面上，与径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。

在其他特征中，P个凹槽中的每一个包括相对于环形体的中心在径向方向上延伸的顶点。P个凹槽中的每一个包括第一空腔和具有“V”形横截面的第二空腔。第二空腔包括第一壁、第二壁以及在第一壁和第二壁之间的顶点，其中第一壁和第二壁形成在75°至105°范围内的角度。第一空腔具有矩形横截面。第二空腔包括在安装时在平行于衬底的平面中延伸的顶点。顶点相对于环形体的中心部分沿径向方向延伸。

在其他特征中，在径向内支腿和径向外支腿之间的位置中的环形体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内。在径向内支腿和径向外支腿之间的位置中的环形体的厚度t在0.5mm至5mm的范围内。

在其他特征中，环形体的顶表面包括倾斜部分，该倾斜部分在朝着环形体的径向外边缘的方向上线性地向下倾斜。倾斜部分从顶表面的上部到顶表面的下部线性地向下倾斜竖直距离d。d大于或等于 t。d在t至3t的范围内。d在0.25*t至t的范围内。

在其他特征中，顶表面的上部和顶表面的下部布置成在安装时平行于包括衬底的平面。从空腔的径向外边缘到顶表面开始向下倾斜的位置的水平距离h在0mm至10mm的范围内。

在其他特征中，环形体由导电材料制成。空腔配置为容纳导电边缘环。

一种系统包括边缘环、导电边缘环和多个边缘环提升销。多个致动器配置为相对于导电边缘环提升边缘环的环形体。