[实用新型]一种微带隔离器

说明书

本实用新型公开了一种微带隔离器，属于微波元器件技术领域，包括旋磁铁氧体基片（2）、陶瓷垫片（3）和永磁体（4），所示旋磁铁氧体基片（2）全金属面与陶瓷垫片（3）连接，所述陶瓷垫片（3）与永磁体（4）连接，所述旋磁铁氧体基片（2）的另一面设置微带电路，所述微带电路中心为开缝六边形结（51），并设置外加匹配节（52）与所述开缝六边形结（51）匹配，并设置有矩形薄膜负载（53），所述矩形薄膜负载后接地；本实用新型解决了微带隔离器单面场高隔离度的问题，尤其是极限温度下隔离度能够达到带内23dB。

技术领域

本实用新型涉及微波元器件技术领域，尤其涉及一种微带隔离器。

背景技术

现有的微带隔离器，其结构如图1所示，包括金属底板1、旋磁铁氧体基片2、陶瓷垫片3和永磁体4，其中，金属底板1与旋磁铁氧体基片2的全金属面采用焊接的方式连接，旋磁铁氧体基片2的电路面与陶瓷垫片3之间、陶瓷垫片3与永磁体4之间采用粘接的方式连接。

旋磁铁氧体基片2的电路面设置电路结构，其一般采用薄膜微带电路结构，其结构如图2所示。现有的微带隔离器又主要有两种电路结构，分别是:双Y结构电路匹配半圆形接地负载，如图3所示；多路加抗的平面Y谐振结构电路匹配半圆形接地负载，如图4所示。通过设计、计算环行器的基本参数、电磁场仿真软件的仿真优化以及结合实际产品的试验，得到性能优良的电路结构。图3的双Y结构电路的电性能仿真曲线如图5所示，多路加抗的平面Y谐振结构电路的电性能仿真曲线如图6所示。

目前，对于微带隔离器的电性能指标如下表1：

表1电性能指标

但是，上述现有结构的一般隔离器无法在该频段内实现-55℃～+85℃极限工作温度下隔离度不小于23dB的指标；

微带隔离器在极限温度下隔离度会发生“漂移”，这种漂移现象会导致隔离度在-55℃～+85℃极限工作温度下无法达到用户要求的不小于23dB。产品要实现在窄频段内同时兼顾驻波及高隔离度指标并确保产品温度稳定性(-55℃～+85℃)。这需要隔离器常温下至少有25dB的隔离度。

另外，目前一般隔离器的磁场是安装在电路正面，可根据实测情况先调试电路再粘接磁场。而背面场隔离器是先粘接然后再调试电路，大大增加了调试难度，必须先定位背后磁场的位置，在仿真电阻值变化的范围，解决磁场粘接后电路可调试的问题。

即，如图5和图6所示，现有的微带隔离器，无论是双Y结构电路还是多路加抗的平面Y谐振结构匹配半圆形接地负载，均无法达到频带内25dB的隔离度。虽然常温下指标能够达到，但在极限温度下隔离度会发生“漂移”，这种漂移现象会导致隔离度在-55℃～+85℃极限工作温度下无法达到不小于23dB的指标。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于提供一种微带隔离器，以解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是这样的：一种微带隔离器，包括旋磁铁氧体基片、陶瓷垫片和永磁体，所示旋磁铁氧体基片全金属面与陶瓷垫片连接，所述陶瓷垫片与永磁体连接，所述旋磁铁氧体基片的另一面设置微带电路，所述微带电路中心为开缝六边形结，并设置外加匹配节与所述开缝六边形结匹配，并设置有矩形薄膜负载，所述矩形薄膜负载后接地。

与传统微带隔离器相比，本实用新型取消了金属底板，一方面可以减少加工工序，另外可以增加上表面与组件盖板之间的距离从而达到增强兼容性的目的；本实用新型通过外加匹配节来和开缝六边形结进行匹配，能够有效增加隔离度。

作为优选的技术方案：所示旋磁铁氧体基片全金属面与陶瓷垫片之间采用粘接方式连接。

作为优选的技术方案：所述陶瓷垫片与永磁体之间采用粘接方式连接。