[实用新型]一种具有报警和延时自恢复功能的过流保护电路有效

专利信息
申请号: 202020533731.3 申请日: 2020-04-13
公开(公告)号: CN212231073U 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 许哲;张健;李爱玲 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H02H3/04 分类号: H02H3/04;H02H3/06;H02H3/087
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 唐沛
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 报警 延时 恢复 功能 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种具有报警和延时自恢复功能的过流保护电路,其特征在于:包括第一电容(10)、第一电阻(11)、第一增强型PMOS管(12)、第二电阻(13)、第三电阻(14)、第二增强型PMOS管(15)、第四电阻(16)、第二电容(17)、第五电阻(18)、发光二极管(19)、增强型NMOS管(20)以及第六电阻(21);

第一电容(10)并联在第一增强型PMOS管(12)的栅源极之间,且第一增强型PMOS管(12)源极连接外部直流电源VCC;

第二增强型PMOS管(15)的源极通过第一电阻(11)连接外部直流电源VCC,第二增强型PMOS管(15)漏极接负载网络(22)的供电正端,第二增强型PMOS管(15)栅极通过第三电阻(14)连接至电源地GND,同时通过第二电阻(13)连接至第一增强型PMOS管(12)的漏极;

第四电阻(16)和第二电容(17)串联组成延时电路,所述延时电路的电阻一端接第二增强型PMOS管(15)的栅极,电容一端接电源地GND;

增强型NMOS管(20)栅极连接在第四电阻(16)和第二电容(17)的公共端,增强型NMOS管(20)源极接电源地GND,增强型NMOS管(20)漏极通过串接发光二极管(19)和第五电阻(18)连接到第二增强型PMOS管(15)的栅极;第六电阻(21)与负载网络(22)并联;

其中,第二电阻(13)的电阻阻值远小于第三电阻(14)的电阻阻值;第二电阻(13)的电阻阻值远小于第四电阻(16)的电阻阻值;第五电阻(18)的电阻阻值远小于第二电阻(13)的电阻阻值。

2.根据权利要求1所述的具有报警和延时自恢复功能的过流保护电路,其特征在于:所述第一增强型PMOS管(12)、第二增强型PMOS管(15)均采用耗尽型MOS管或结型场效应管或三极管或绝缘栅双极晶体管替换。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所,未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020533731.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top