[实用新型]一种晶圆激光刮边机

说明书

一种晶圆激光刮边机，用于半导体工艺制程中去除晶圆边缘多余半导体材料，晶圆包括衬底和半导体外延，刮边机包括用于激光去除多余半导体材料的激光器，激光器采用深紫外激光，其中深紫外激光的波长为230nm至270nm，利用深紫外波长激光对半导体晶圆外圈进行高精度的外延凸起去除且不损伤衬底，不产生碎屑，不会造成晶圆表面脏污及坑洞。

技术领域

本实用新型属于发光半导体芯片制作领域，具体涉及一种晶圆刮边设备。

背景技术

在半导体工艺的外延成长时，因为外延化学气相沉积设备的石墨承载盘的盘口设计比生长衬底片源高，造成气流在衬底片源边缘时间较长，因此边缘外延材料堆积较晶片的其他地区要高，形成外延凸起。现有改善外延凸起方式：使用高速旋转的金刚石磨头对晶圆外圈做刮边/倒角动作，因机台稳定性、磨头角度及磨损问题，刮边完的晶圆外圈出现下列异常：1.刮边不均匀导致外圈厚度异常及撕金不净；2.磨头及晶圆碎屑冲击晶圆表面导致脏污；3.晶圆衬底损伤导致破片等问题。

发明内容

本实用新型为了解决背景技术中提及的技术问题，提供了一种晶圆激光刮边机，用于半导体工艺制程中去除晶圆边缘多余半导体材料，刮边机包括用于激光去除多余半导体材料的激光器。

根据本实用新型，优选的，刮边机具有用于承载晶圆的载台。

根据本实用新型，优选的，载台下设置有提供载台移动的马达和导轨。

根据本实用新型，优选的，激光器具有出光口，出光口通过载台移动改变与晶圆的相对位置。

根据本实用新型，优选的，激光器的出光口具有聚光镜，通过调整聚光镜控制出光。

根据本实用新型，优选的，激光器采用深紫外激光，其中深紫外激光的波长为230nm至270nm。

根据本实用新型，优选的，所述晶圆用于制作的半导体芯粒的尺寸不大于200μm*200μm。

根据本实用新型，优选的，完成芯片工艺后衬底的厚度不大于90μm。

根据本实用新型，优选的，晶圆采用蓝宝石基板，并且半导体材料包括氮化镓。

本实用新型的有益效果包括：

通过采用深紫外激光去除晶圆边缘多余堆积的外延材料，改善刮边过程中传统磨头高速旋转产生碎屑冲击及机台稳定性不够导致衬底损伤问题。

深紫外激光具有精确控制刮边幅度的功能，改善研磨后厚度均匀性，改善MiniLed （80μm）以下厚度衬底的破片率，改善因外延凸起导致撕金不净，造成金损失及后续工序异常。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为本实用新型的实施例中的晶圆激光刮边的结构示意图。

图2为本实用新型的实施例中的晶圆激光刮边机。

图中标识：100、晶圆；101、晶圆外圈；110、衬底（蓝宝石Al₂O₃）；120、N-GaN；130、buffer-GaN（氮化镓缓冲层）210、激光器；220、光路；221、镜片；230、载台；240、出光口；250、聚光镜。

具体实施方式

下面便结合附图对本实用新型若干具体实施例作进一步的详细说明。但以下关于实施例的描述及说明对本实用新型保护范围不构成任何限制。