[实用新型]一种用于检测双阈值使能控制信号的电路系统有效
| 申请号: | 202020509844.X | 申请日: | 2020-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN211506289U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 刘祖韬 | 申请(专利权)人: | 刘祖韬 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 上海千寻知识产权代理事务所(普通合伙) 31353 | 代理人: | 吴小丽;吴红斐 |
| 地址: | 200030 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 检测 阈值 控制 信号 电路 系统 | ||
1.一种用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,包括:
用于将使能控制信号与输入电源的电压差转换成比例电流输出的电流生成模块(201);
用于将所述比例电流转换成输出电压,并输入到阈值比较器(203)作为输入电压信号的电阻网络模块(204);
用于产生相对于输入电源电压有固定差值的基准电压信号,并输入到阈值比较器(203)作为参考信号的基准电压模块(202);
用于比较所述输入电压信号与所述基准电压信号的大小,并输出信号作为电路系统的使能控制信号的阈值比较器(203);
所述电流生成模块(201)连接输入电源(IN)和地极(VSS),所述电阻网络模块(204)连接所述电流生成模块(201)和使能控制信号源(EN),所述阈值比较器(203)连接所述基准电压模块(202)和所述电流生成模块(201)。
2.如权利要求1所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述电流生成模块(201)为由低压晶体管连接成的电流镜电路结构。
3.如权利要求1所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述电流生成模块(201)为由高压晶体管连接成的cascode共源共栅电路结构。
4.如权利要求2所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述电流生成模块(201)包括第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第一PMOS晶体管(M4)和第二PMOS晶体管(M5);所述第一NMOS晶体管(M1)、所述第二NMOS晶体管(M2)、所述第三NMOS晶体管(M3)构成一组电流镜,所述第一PMOS晶体管(M4)、所述第二PMOS晶体管(M5)构成另一组电流镜。
5.如权利要求4所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述输入电源(IN)的正极连接所述第一PMOS晶体管(M4)的源极,所述第一PMOS晶体管(M4)的栅极、漏极电连接;
所述第二PMOS晶体管(M5)的源极连接所述电阻网络模块(204),所述第二PMOS晶体管(M5)的栅极连接所述第一PMOS晶体管(M4)的栅极;
所述第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接所述第一PMOS晶体管(M4)的漏极,所述第一NMOS晶体管(M1)的源极连接地极(VSS),所述第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接所述第二NMOS晶体管(M2)的栅极;
所述第二NMOS晶体管(M2)的栅极、漏极电连接,所述第二NMOS晶体管(M2)的源极连接地极(VSS),所述第二NMOS晶体管(M2)的漏极连接所述第二PMOS晶体管(M5)的漏极;
所述第三NMOS晶体管(M3)的栅极连接所述第二NMOS晶体管(M2)的栅极,所述第三NMOS晶体管(M3)的源极连接地极(VSS),所述第三NMOS晶体管(M3)的漏极连接所述电阻网络模块(204)。
6.如权利要求4或5所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述电阻网络模块(204)包括第一电阻(R1)和第二电阻(R2),第一电阻(R1)一端连接使能控制信号源(EN),第一电阻(R1)另一端连接所述第二PMOS晶体管(M5)的漏极;第二电阻(R2)一端连接使能控制信号源(EN),第二电阻(R2)另一端连接所述第三NMOS晶体管(M3)的漏极和所述阈值比较器(203)的输入端。
7.如权利要求4或5所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述电阻网络模块(204)包括第一电阻(R1)和第二电阻(R2),第一电阻(R1)一端连接使能控制信号源(EN),第一电阻(R1)另一端连接所述第二PMOS晶体管(M5)的漏极和第二电阻(R2)一端,第二电阻(R2)另一端连接所述第三NMOS晶体管(M3)的漏极和所述阈值比较器(203)的输入端。
8.如权利要求1所述的用于检测双阈值使能控制信号的电路系统,其特征在于,所述阈值比较器的输出端为电路系统的使能控制信号输出端。
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