[实用新型]应用于高灵敏光耦隔离芯片传感前端的光电雪崩二极管

权利要求书

1.一种应用于高灵敏光耦隔离芯片传感前端的光电雪崩二极管，其特征在于它包括基板(1)，所述基板(1)内设置有深N阱(2)、第一P阱(3)以及第二P阱(4)，

所述深N阱(2)的横截面形状为山字形，所述深N阱(2)包括底部的横段(201)以及横段(201)上向上伸出的三个竖段，三个竖段从左向右分别为第一竖段(202)、第二竖段(203)、第三竖段(204)，

所述基板(1)的顶面设置有纵向的六道浅沟道隔离区(5)，六道浅沟道隔离区(5)从左至右依次平行布置，六道浅沟道隔离区(5)从左至右分别为第一浅沟道隔离区(501)、第二浅沟道隔离区(502)、第三浅沟道隔离区(503)、第四浅沟道隔离区(504)、第五浅沟道隔离区(505)以及第六浅沟道隔离区(506)，

第一竖段(202)的左右两侧分别为第一浅沟道隔离区(501)和第二浅沟道隔离区(502)，第二竖段(203)的左右两侧分别为第三浅沟道隔离区(503)和第四浅沟道隔离区(504)，第三竖段(204)的左右两侧分别为第五浅沟道隔离区(505)和第六浅沟道隔离区(506)，且第一P阱(3)位于第二浅沟道隔离区(502)和第三浅沟道隔离区(503)之间，第二P阱(4)位于第四浅沟道隔离区(504)和第五浅沟道隔离区(505)之间，第一P阱(3)的顶面设置有第一P+层(6)，第二P阱(4)的顶面设置有第二P+层(7)，第一P+层(6)以及第二P+层(7)上接阳极电极(8)，深N阱(2)的三个竖段的顶面设置有N+层(9)，N+层(9)上接阴极电极(10)。

2.根据权利要求1所述的一种应用于高灵敏光耦隔离芯片传感前端的光电雪崩二极管，其特征在于基板的掺杂浓度为10¹⁴-10¹⁵/cm³，深N阱的掺杂浓度为5*10¹⁴至5*10¹⁶/cm³，第一P阱以及第二P阱的掺杂浓度为10¹⁵至10¹⁸/cm³。

3.根据权利要求1所述的一种应用于高灵敏光耦隔离芯片传感前端的光电雪崩二极管，其特征在于第一浅沟道隔离区、第二浅沟道隔离区、第三浅沟道隔离区、第四浅沟道隔离区、第五浅沟道隔离区以及第六浅沟道隔离区的纵向尺寸和横向尺寸比例均为5：1。

4.根据权利要求1所述的一种应用于高灵敏光耦隔离芯片传感前端的光电雪崩二极管，其特征在于所述深N阱的横向尺寸为2微米至200微米，所述深N阱的纵向尺寸为0.5微米至20微米之间。

5.根据权利要求4所述的一种应用于高灵敏光耦隔离芯片传感前端的光电雪崩二极管，其特征在于所述深N阱的横向尺寸是20微米，所述深N阱的深度为1.2微米，第一竖段的宽度为1微米，第二竖段的宽度为1.5微米，第三竖段的宽度为1微米，第一浅沟道隔离区、第二浅沟道隔离区、第三浅沟道隔离区、第四浅沟道隔离区、第五浅沟道隔离区以及第六浅沟道隔离区的宽度均为0.15微米，第一P阱和第二P阱的宽度均为6微米，第一P阱和第二P阱的深度均为0.46微米。