[实用新型]一种具有对位标记点的选择性发射极电池有效
| 申请号: | 202020499882.1 | 申请日: | 2020-04-08 | 
| 公开(公告)号: | CN212303682U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 | 
| 发明(设计)人: | 武啟强;钱俊;陈太昌 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L23/544 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 224000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 对位 标记 选择性 发射极 电池 | ||
本发明提供一种具有对位标记点的选择性发射极电池,其特征在于,所述对位标记点为激光打标mark点,设置在电池硅片的四个端角处,所述激光打标mark点为三个同心圆,且相邻同心圆半径差为激光光斑的直径。本发明的激光mark点是三个同心圆,可以避免常规十字图形遇到的问题,该同心圆图形标记点可以和现有激光掺杂设备完全兼容,不会增加成本,且工业化生产过程中稳定性好,有效的减少了丝印过程中因Mark点识别不了造成的设备机器报警和该过程中电池片的返工,间接的提高了生产效率和成品率。
技术领域
本发明涉及一种太阳电池制作领域,具体涉及一种具有对位标记点的选择性发射极电池。
背景技术
随着光伏技术的蓬勃发展,高效太阳能电池片越来越受到人们的追捧。选择性发射极(Selective Emitter,简称 SE)激光技术通过选择性掺杂,在电池的正面栅线下进行重扩散,没有栅线的地方进行浅扩散,在金属化制程中需要将栅线印刷到SE 制程中进行过重扩散的区域。可实现提升电池效率0.2%以上。但是没有对准的话,电池片的效率将大大降低。在这个过程中,丝网相机通过抓取标记点(Mark点)来实现精准印刷,所以,Mark点的准确识别就显得非常关键。
现有技术中的对准Mark点制作图形一般为十字图形,如图1所示,该图形虽然也可以作为Mark点,但存在缺陷,相机会因为电池片正面膜色和Mark点位置不清晰而出现漏印,影响生产效率。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是解决上述现有技术的不足,提供一种具有对位标记点的选择性发射极电池,本发明的激光mark点是三个同心圆,可以避免常规十字图形遇到的问题,该同心圆图形标记点可以和现有激光掺杂设备完全兼容,不会增加成本,且工业化生产过程中稳定性好,有效的减少了丝印过程中因Mark点识别不了造成的设备机器报警和该过程中电池片的返工,间接的提高了生产效率和成品率。具体方案如下:
一种具有对位标记点的选择性发射极电池,其特征在于,所述对位标记点为激光打标mark点,设置在电池硅片的四个端角处,所述激光打标mark点为三个同心圆,且相邻同心圆半径差为激光光斑的直径。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1为现有技术中激光打标mark点的图形示意图;
图2为本发明中激光打标mark点在电池硅片上分布位置示意图;
图3为本发明中激光打标mark点的图形示意图;
其中,1为激光打标mark点,2为电池硅片。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例。
参照图2、3,本实施例的一种具有对位标记点的选择性发射极电池,为便于选择性发射极电池印刷对准用的激光打标mark点,设置在电池硅片的四个端角处,激光打标mark点为三个同心圆,且相邻同心圆半径差为激光光斑的直径。
目前行业内制作选择性发射极结构电池采用的激光都是方形光斑且光斑宽度为120μm或者100μm,十字图形长600μm,宽120μm或100μm,激光打标的时候在丝印相机下容易因面积小、镀膜差异等问题不识别造成漏印或偏移。但是本发明的同心圆激光Mark点就可以避免这个问题,优选同心圆半径从小到大依次为50μm、150μm和250微米,印刷时设备相机更容易识别,减少报警次数。以下具体展示本实施例中激光打标Mark点具体在电池片制备过程中的应用步骤:
步骤一、制绒:单晶硅片经过表面制绒获得良好的绒面结构,从而实现增大比表面积可以接受更多光子(能量),同时减少入射光的反射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





