[实用新型]UVC LED封装结构

权利要求书

1.一种UVC LED封装结构，其特征在于，其包含：

一绝缘基板，其设置于一绝缘凸件的下方，其中，所述绝缘凸件包含一第一表面，所述绝缘基板包含一第二表面，所述第一表面与所述第二表面间具有一高度，所述第二表面环设所述第一表面；

一UVC LED覆晶芯片，其发出波长200-280nm，其设置于所述绝缘凸件的上方；及

一石英封装件，其封设于所述UVC LED覆晶芯片之上，并以一黏着层设置于所述绝缘基板与所述石英封装件之间，并于两者之间设置一空间层，所述绝缘基板与所述石英封装件的一相接处环设一凸出部，所述凸出部设置于所述空间层内，所述石英封装件的一内侧设置多个第一微结构及多个第二微结构，所述多个第二微结构围设所述多个第一微结构，每一所述多个第一微结构的相距为0.5-1mm，每一所述多个第二微结构的相距为1.5-2mm；

其中，二导电件穿设所述绝缘凸件与所述绝缘基板，并分别电性连接所述UVC LED覆晶芯片与二电极，所述二电极分别设置于所述绝缘基板的一底部的二侧。

2.如权利要求1所述的UVC LED封装结构，其特征在于，其中所述绝缘基板上设有一绝缘外层，所述绝缘外层围设所述绝缘凸件形成一沟槽，所述石英封装件插设所述沟槽，且所述石英封装件与所述沟槽夹设所述黏着层。

3.如权利要求1所述的UVC LED封装结构，其特征在于，其中所述UVC LED覆晶芯片其包含：

一蓝宝石基板；

一第一半导体层，其设置于所述蓝宝石基板下，所述第一半导体层下设置一N电极；

一发光层，其设置于所述第一半导体层之下，所述发光层选择于氮化铝镓、氮化镓或上述的组合的其中之一；及

一第二半导体层，其设置于所述发光层下，所述第二半导体层下设置一P电极。

4.如权利要求1所述的UVC LED封装结构，其特征在于，其中所述凸出部设置一斜部，所述斜部朝向所述UVC LED 覆晶芯片。

5.一种UVC LED 封装结构，其特征在于，其包含：

一绝缘基板，其设置于一绝缘凸件的下方，所述绝缘基板设有一绝缘外层，所述绝缘外层围设所述绝缘凸件形成一沟槽，其中，所述绝缘凸件包含一第一表面，所述沟槽包含一第二表面，所述第一表面与所述第二表面间具有一高度，所述第二表面环设所述第一表面；

一UVC LED覆晶芯片，其发出波长200-280nm，其设置于所述绝缘凸件的上方；及

一石英封装件，其封设于所述UVC LED覆晶芯片之上，所述石英封装件插设所述沟槽，并以一黏着层设置于所述绝缘基板与所述石英封装件之间，并于两者之间设置一空间层，所述石英封装件的一内侧设置多个第一微结构及多个第二微结构，所述多个第二微结构围设所述多个第一微结构，每一所述多个第一微结构的相距为0.5-1mm，每一所述多个第二微结构的相距为1.5-2mm；

其中，二导电件穿设所述绝缘凸件与所述绝缘基板，并分别电性连接所述UVC LED覆晶芯片与二电极，所述二电极分别设置于所述绝缘基板的一底部的二侧。

6.如权利要求5所述的UVC LED封装结构，其特征在于，其中所述绝缘基板与所述石英封装件的一相接处环设一凸出部，所述凸出部设置于所述空间层内。

7.如权利要求5所述的UVC LED封装结构，其特征在于，其中所述UVC LED覆晶芯片其包含：

一蓝宝石基板；

一第一半导体层，其设置于所述蓝宝石基板下，所述第一半导体层下设置一N电极；

一发光层，其设置于所述第一半导体层下，所述发光层选择于氮化铝镓、氮化镓或上述的组合的其中之一；及

一第二半导体层，其设置于所述发光层下，所述第二半导体层下设置一P电极。

8.如权利要求6所述的UVC LED封装结构，其特征在于，其中所述凸出部设置一斜部，所述斜部朝向所述UVC LED 覆晶芯片。