[实用新型]针对静电放电的保护器件

说明书

本公开的实施例涉及针对静电放电的保护器件。第一导电类型的半导体衬底被涂覆有第二导电类型的半导体层。第二导电类型的掩埋区域形成在半导体衬底与半导体层之间的界面。第一导电类型的第一阱和第二阱提供在半导体层中。第二导电类型的第二区域在第一阱中形成。第二导电类型的第三区域在第二阱中形成。第一阱、半导体层、第二阱和第三区域形成第一横向晶闸管。第二阱、半导体层、第一阱和第二区域形成第二横向晶闸管。掩埋区域和半导体衬底形成齐纳二极管，该齐纳二极管设置横向晶闸管的触发电压。本公开的实施例能够使针对静电放电保护的器件结构更加紧凑。

技术领域

本公开总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及针对一种保护电子电路免受静电放电的器件。

背景技术

保护电子电路免受静电放电的器件是本领域已知的，其包括横向晶闸管以使由于静电放电引起的过电压耗散。

然而，基于横向晶闸管的针对静电放电的保护器件的已知结构具有各种缺点。

期望至少部分地克服这些缺点中的一些缺点。

实用新型内容

针对静电放电保护的常规器件的结构不够紧凑。

为了克服上述问题，本公开提供了旨在解决上述问题的至少一部分的技术方案。

在一个方面中，提供了一种针对静电放电的保护器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的半导体层，半导体层涂覆半导体衬底；第二导电类型的掩埋区域，掩埋区域在半导体衬底与半导体层之间的界面处，具有大于半导体层的掺杂水平的掺杂水平；第一导电类型的第一阱和第二阱，在与半导体衬底相反的表面处的半导体层中形成；第二导电类型的第二区域，在与半导体衬底相反的表面处的第一阱中形成；以及第二导电类型的第三区域，在与半导体衬底相反的表面处的第二阱中形成；器件的第一连接端子，被连接到第一阱和第二区域；器件的第二连接端子，被连接到第二阱和第三区域；其中第一阱、半导体层、第二阱和第三区域形成第一横向晶闸管；其中第二阱、半导体层、第一阱和第二区域形成第二横向晶闸管；并且其中掩埋区域与衬底的PN结形成具有雪崩电压的齐纳二极管，雪崩电压设置保护器件的触发阈值。

在一些实施例中，第一阱和第二阱仅通过半导体层的一部分而被彼此横向地分离。

在一些实施例中，该器件还包括第二导电类型的停止沟道区域，停止沟道区域具有大于半导体层的掺杂水平的掺杂水平，停止沟道区域在与半导体衬底相反的表面处的半导体层中形成，并且被定位成将第一阱与第二阱横向地分离。

在一些实施例中，从顶部观察，停止沟道区域完全围绕第一阱和第二阱中的每个阱。

在一些实施例中，该器件包括第一垂直绝缘壁，从顶部观察，第一垂直绝缘壁围绕第一阱和第二阱，第一绝缘壁跨半导体层的整个厚度、并且跨掩埋层的整个厚度延伸。

在一些实施例中，该器件还包括第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁，第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁在半导体衬底与半导体层之间的界面的不包括掩埋区域的一部分中，第二垂直绝缘壁和第三垂直绝缘壁分别横向地界定第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管分别由半导体衬底与半导体层之间的第一结和第二结来限定。

在一些实施例中，半导体层的由第二垂直绝缘壁横向地界定的一部分经由接触区而被连接到第二连接端子，并且其中半导体层的由第三垂直绝缘壁横向地界定的一部分经由接触区而被连接到第一连接端子。

在一些实施例中，触发阈值在5伏至20伏之间。

在一些实施例中，第一导电类型和第二导电类型分别是P型和N 型。

本公开的实施例能够使针对静电放电保护的器件结构更加紧凑。

附图说明

将在下面结合附图对特定实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他特征和优点，其中：