[实用新型]一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃有效
申请号: | 202020470672.X | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN211968758U | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 胡志风;胡向项 | 申请(专利权)人: | 合肥新创亿玻璃有限公司 |
主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B17/06;B32B3/20;B32B27/32;B32B27/10;B32B3/08 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁辐射 结构 强度 玻璃 | ||
1.一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃,包括面层(1),其特征在于:所述面层(1)的下表面固定连接有胶层(2),所述胶层(2)的下表面固定连接有玻璃块(3),所述玻璃块(3)的下表面固定连接有挤压块(4),所述挤压块(4)的下表面搭接有支撑块(5),所述支撑块(5)的下表面固定连接有支撑块(5)的下表面固定连接有抗电磁辐射玻璃(6),所述抗电磁辐射玻璃(6)的下方设置有底层(7),所述抗电磁辐射玻璃(6)的外侧均固定连接有固定块(8),所述固定块(8)的内部开设有密封槽(9),所述密封槽(9)靠近抗电磁辐射玻璃(6)的一侧内壁开设有通口(10),所述密封槽(9)靠近抗电磁辐射玻璃(6)的一侧外壁固定连接有气垫口(11),所述密封槽(9)远离抗电磁辐射玻璃(6)的一侧内壁开设有安装口(12),所述安装口(12)的内部固定连接有密封块(13)。
2.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃,其特征在于:所述面层(1)为氟硅化合物薄膜,且面层(1)的上表面与固定块(8)的上表面位于同一平面。
3.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃,其特征在于:所述挤压块(4)和支撑块(5)均为半圆形空心透明聚乙烯块,且挤压块(4)与支撑块(5)相互交错搭接。
4.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃,其特征在于:所述底层(7)为非有机玻璃晶体层,且底层(7)的下表面与固定块(8)的下表面位于同一平面。
5.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃,其特征在于:所述气垫口(11)位于底层(7)和抗电磁辐射玻璃(6)之间,且气垫口(11)的内部与通口(10)的内部相连通。
6.根据权利要求1所述的一种抗电磁辐射的高结构强度玻璃,其特征在于:所述固定块(8)的内壁分别与面层(1)、胶层(2)、玻璃块(3)和底层(7)的外侧壁固定连接,所述密封块(13)为软性聚乙烯块。
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