[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 202020467884.2 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN211376638U | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 黄晗;林正忠;吴政达;陈彦亨 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/34;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
基底；
光热转换材料层，位于所述基底的上表面；
重新布线层，位于所述光热转换材料层的上表面，所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内的金属连接层；
第一天线层，位于所述重新布线层的上表面，所述第一天线层与所述重新布线层电连接；
导电柱，位于所述第一天线层的上表面，且与所述第一天线层电连接；
塑封材料层，所述塑封材料层将所述第一天线层及所述导电柱包覆，所述导电柱的上表面暴露于所述塑封材料层的上表面；
第二天线层，位于所述塑封材料层的上表面，且与所述导电柱电连接；
金属凸块，位于所述第二天线层的上表面，且与所述第二天线层电连接；以及
芯片，位于所述金属凸块的上表面，且与所述金属凸块电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括底部填充层，位于所述芯片和所述第二天线层之间，且将所述金属凸块包覆。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述光热转换材料层包括由炭黑、溶剂、硅填充物和/或环氧树脂构成的复合材料层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述光热转换材料层的厚度为1～2微米。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括电磁屏蔽层，位于所述塑封材料层的周向上。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层和所述第二天线层均包括多个天线。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层和所述第二天线层均包括铜层、铝层和银层中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述导电柱的高度为100μm～2000μm。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述金属凸块包括锡焊料凸块、银焊料凸块及金锡合金焊料凸块中的一种或多种。
10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述基底包括玻璃，所述导电柱包括电镀铜层、电镀金层和电镀银层中的一种或多种。
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