[实用新型]一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器

权利要求书

1.一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，其特征在于，

包括上层结构和下层结构，所述上层结构叠放在所述下层结构上，所述上层结构为一维SiO₂光栅条，所述下层结构由SiO₂薄膜层和Al₂O₃薄膜层组成，所述Al₂O₃薄膜层的厚度h1为5nm～90nm，所述SiO₂薄膜层的厚度h2为5nm～90nm，所述SiO₂光栅条的厚度h3设置为50nm～500nm，所述SiO₂光栅条的周期P为400nm～1000nm，所述SiO₂光栅条的宽度W为200nm～800nm。

2.如权利要求1所述的基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，其特征在于，

所述Al₂O₃薄膜层的厚度h1为10nm，所述SiO₂薄膜层的厚度h2为10nm，所述SiO₂光栅条的厚度h3为150nm，所述SiO₂光栅条的周期P为900nm，所述SiO₂光栅条的宽度W为800nm。