[实用新型]一种双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路

权利要求书

1.一种双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，其包括双平衡阻容降压电源模块(1)和MOS管驱动模块(2)，所述双平衡阻容降压电源模块(1)输出直流电压，用于与电路内部的全波整流电路“共地”连接以及为单片机和负载单元提供电源；所述MOS管驱动模块(2)用于通过驱动MOS管控制负载单元。

2.根据权利要求1所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述双平衡阻容降压电源模块(1)包括阻容降压全波整流电路(11)、精密稳压电路(12)、全波整流桥电路(13)和π型滤波电路(14)，所述阻容降压全波整流电路(11)用于将市电处理成直流低电压电源，所述精密稳压电路(12)用于将直流低电压电源处理成稳定的直流电压供单片机使用；所述全波整流桥电路(13)和π型滤波电路(14)配合连接用于将市电处理成平滑的直流电压供负载单元使用。

3.根据权利要求2所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述阻容降压全波整流电路(11)包括全波整流桥D1，市电从输入端J1、J2引入，所述输入端J1串联电容C1后连接全波整流桥D1的引脚1，所述输入端J2串联保险元件F1、电容C2后连接全波整流桥D1的引脚3，所述输入端J2串联保险元件F1后与输入端J1并联压敏电阻RV，所述全波整流桥D1的引脚4接地，所述全波整流桥D1的引脚2并联稳压管Z1和电容C5后输出直流低电压电源，所述稳压管Z1和电容C5的另一端均接地。

4.根据权利要求3所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述精密稳压电路(12)包括三极管Q1和稳压管Z2，所述阻容降压全波整流电路(11)输出的直流低电压电源连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极串联电阻R3后连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极串联稳压管Z2后接地，所述三极管Q1的发射极串联电阻R4、电阻R5后接地，所述三极管Q1的发射极并联电容C3、电容C4后连接单片机U1的VDD引脚为其供电，所述电容C3和电容C4的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述全波整流桥电路(13)包括二极管D2、D3、D4和D5，所述输入端J1并联二极管D2和D4，所述输入端J2串联保险元件F1后并联二极管D3和D5，所述二极管D2和D5的另一端连接后接地，所述二极管D3和D4的另一端后连接π型滤波电路(14)。

6.根据权利要求5所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述π型滤波电路(14)包括电容C6、串联电感L1和电容C7，所述全波整流桥电路(13)的输出端并联电容C6、串联电感L1和电容C7后接地，所述电感L1和电容C7之间输出平滑的直流电压供负载单元使用。

7.根据权利要求6所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动模块(2)包括三极管Q2、Q3、Q4、Q5和MOS管Q6，所述阻容降压全波整流电路(11)输出的直流低电压电源并联电阻R6、R7和三极管Q4的发射极，所述电阻R7的另一端连接三极管Q4的基极，所述电阻R7和三极管Q4的基极之间串联电阻R10后连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的基极串联电阻R8后连接单片机U1的PWM引脚；

所述单片机U1的PWM引脚串联电阻R9后连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极并联电阻R6的另一端和三极管Q5的基极，所述三极管Q5的发射极接地，所述三极管Q5的集电极并联电阻R11和MOS管Q6的栅极，所述电阻R11连接三极管Q4的集电极，所述MOS管Q6的漏极接地，所述MOS管Q6的源极并联二极管D6和负载单元，所述二极管D6的另一端和负载单元的另一端连接。