[实用新型]电池片大片、太阳能电池片及叠瓦组件有效
| 申请号: | 202020432133.7 | 申请日: | 2020-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN212085017U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
| 发明(设计)人: | 尹丙伟;孙俊;陈登运;李岩;石刚 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电池 大片 太阳能电池 组件 | ||
1.一种电池片大片,用于裂片而形成多个太阳能电池片,多个所述太阳能电池片能够以叠瓦方式排列成电池串,
其中,所述电池片大片包括基体片,所述基体片的顶表面和底表面上设置有副栅线,且所述基体片的顶表面或底表面上设置有跨越各个副栅线的主栅线,所述电池片大片被划分成沿第一方向排布的多个单元,任意相邻的两个所述单元为第一单元和第二单元,当所述电池片大片裂片之后所述第一单元形成为第一电池片,所述第二单元形成为第二电池片,
其特征在于,所述第一单元和所述第二单元之间的交界部分的顶表面处被划分为:
切割区,所述切割区沿垂直于所述第一方向的方向延伸,所述切割区构造为使得所述电池片大片能够沿其被切割;和
顶表面粘结区和顶表面导电接触区,所述顶表面粘结区和顶表面导电接触区设置在所述切割区的一侧,且所述顶表面粘结区与所述顶表面导电接触区在垂直于所述第一方向的方向上交替设置,所述切割区和顶表面导电接触区形成为所述第二电池片的一个搭接边缘的顶表面,
其中,所述顶表面粘结区和所述顶表面导电接触区构造为当所述第二电池片位于电池串中时能够在所述顶表面粘结区的上施加粘结剂从而和与其相邻的太阳能电池片的底表面相互固定,且所述顶表面导电接触区能够与和另一由所述电池片大片裂片而成的太阳能电池片的底表面上的对应区域彼此面对而实现这两个太阳能电池片的叠瓦连接,并且,所述电池片大片构造为使得:所述顶表面导电接触区和所述对应区域中的一个上设置有所述副栅线,另一个上设置有所述主栅线,所述副栅线和所述主栅线直接接触而实现这两个太阳能电池片的导电连接。
2.根据权利要求1所述的电池片大片,其特征在于,所述基体片包括中心层和形成在所述中心层的顶表面、底表面上的透光导电膜。
3.根据权利要求1所述的电池片大片,其特征在于,所述主栅线设置在所述电池片大片的顶表面上,且所述主栅线包括多组,每一个所述单元的边缘处设置有一组,每一组主栅线包括间断设置的多段结构,各段所述主栅线一一对应地设置在各个所述顶表面导电接触区内。
4.根据权利要求1所述的电池片大片,其特征在于,在所述第一单元和所述第二单元的交界部分的底表面上还设置有底表面粘结区和底表面导电接触区,所述底表面粘结区和所述底表面导电接触区在所述第一方向上位于所述切割区的另一侧且所述底表面粘结区和所述底表面导电接触区在垂直于所述第一方向的方向上交替设置,所述底表面导电接触区形成为所述对应区域。
5.根据权利要求4所述的电池片大片,其特征在于,所述主栅线设置在所述电池片大片的底表面上,且所述主栅线包括多组,每一个所述单元的边缘处设置有一组,每一组主栅线包括间断设置的多段结构,各段所述主栅线一一对应地设置在各个所述底表面导电接触区内,
并且,所述电池片大片的顶表面导电接触区内设置有副栅线。
6.根据权利要求2所述的电池片大片,其特征在于,所述透光导电膜在所述中心层的整个顶表面和底表面上延伸。
7.根据权利要求2所述的电池片大片,其特征在于,在所述顶表面粘结区和所述底表面粘结区处不存在所述透光导电膜。
8.根据权利要求1所述的电池片大片,其特征在于,所述电池片大片的最前端的一对所述第一单元和所述第二单元之间的交界部分的顶表面还设置有另一组顶表面粘结区和顶表面导电接触区,所述另一组顶表面粘结区和顶表面导电接触区位于所述切割区的另一侧,所述另一组顶表面粘结区和顶表面导电接触区形成为该第一电池片的一个搭接边缘的顶表面。
9.根据权利要求1所述的电池片大片,其特征在于,所述电池片大片包括中心层,所述中心层包括硅片、设置在所述硅片的顶表面上的顶侧本征非晶硅薄膜、设置在所述顶侧本征非晶硅薄膜的顶表面的P型非晶硅薄膜、设置在所述硅片的底表面上的底侧本征非晶硅薄膜以及设置在所述底侧本征非晶硅薄膜的底表面上的N型非晶硅薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





