[实用新型]一种PON型激光器有效
| 申请号: | 202020413241.X | 申请日: | 2020-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN212033423U | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
| 发明(设计)人: | 徐欢 | 申请(专利权)人: | 浙江矽感锐芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01S5/026 |
| 代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 王大国 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pon 激光器 | ||
本实用新型公开了一种PON型激光器,包括管座和管帽,所述管帽呈类圆柱状并且所述管帽位于所述管座的上方,所述管帽和所述管座固定连接,所述管座包括基座和管脚,所述基座位于所述管脚的上方并且所述基座与所述管帽的下方连接,所述基座与所述管脚固定连接;激光二极管和探测器,所述激光二极管和所述探测器均位于所述管座和所述管帽之间。本实用新型公开的一种PON型激光器,其可以适用于10G的光模块,其具有10G速率传输、高稳定性、低阈值电流等优点。
技术领域
本实用新型属于激光器技术领域,具体涉及一种PON(Pssive Optical Network,无源光网络)型激光器。
背景技术
光模块从2.5G升级到10G,除了需要10GPON探测器,还需10GPON激光器。
公开号为:CN107508128A,主题名称为一种热调谐TWDM-PON激光器及其制造方法的发明专利,其技术方案公开了“包括衬底(101)、缓冲层(102)、下限制层(103)、多量子阱层(104)、上限制层(106)、光栅层(107)和欧姆接触层(108),其特征在于,所述多量子阱层(104)和上限制层(106)之间设置有腐蚀停止层(105),在所述腐蚀停止层(105)之上腐蚀有台型脊波导(211)结构,在激光器中还包括:脊波导沟道中沉积有介质膜(212),在所述介质膜(212)上制作有金属电阻条(213),并且,所述金属电阻条(213)通过制作在所述脊波导沟道中的金属电极(214)供电”;
公开号为:CN110324079A,主题名称为利用互注入FP混沌激光器监测WDM-PON故障的装置及方法的发明专利,其技术方案公开了“包括WDM-PON光网络系统与光网络监测系统;所述WDM-PON光网络系统包括光端机OLTⅠ、馈线光纤Ⅱ、1分n路的阵列波导光栅AWGⅢ、支路光纤Ⅳ和光网络单元Ⅴ,所述光端机OLTⅠ通过馈线光纤Ⅱ与1分n路的阵列波导光栅AWGⅢ的连接,所述1分n路的阵列波导光栅AWGⅢ的n个分光口通过n根支路光纤Ⅳ与n个光网络单元Ⅴ的输入端一一对应连接;所述光网络监测系统包括控制端FP半导体激光器(1)、控制端耦合器(2)、控制端光耦合装置(3)、控制端光电探测器(4)、信号采集处理装置(5)及光耦合装置(6);控制端FP半导体激光器(1)与控制端耦合器(2)连接;控制端耦合器(2)的大比例输出端与控制端光耦合装置(3)的输入端连接,控制端耦合器(2)的小比例输出端与控制端光电探测器(4)的输入端连接;控制端光耦合装置(3)安装于馈线光纤Ⅱ上;控制端光电探测器(4)的输出端与信号采集处理装置(5)的输入端连接;控制端FP半导体激光器(1)、控制端耦合器(2)、控制端光耦合装置(3)、控制端光电探测器(4)、信号采集处理装置(5)均位于光端机OLTⅠ侧;n根二级支路光纤Ⅵ上均一一对应安装有n个光耦合装置(6),n个光耦合装置(6)一一对应位于n个光网络单元Ⅶ侧;所述光网络监测系统还包括第二级1分n路的阵列波导光栅AWG(7)和用户端FP半导体激光器(8);每个分支的用户端FP半导体激光器(8)和控制端FP半导体激光器(1)之间的距离各不相同,相邻距离的最小差值大于探测精度,保证每一个的相关曲线都不会重叠”。
以上述发明专利为例,其虽然提及了PON激光器,但是其技术方案与本实用新型的不同。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种PON型激光器,其可以适用于10G的光模块,其具有10G速率传输、高稳定性、低阈值电流等优点。
为达到以上目的,本实用新型提供一种PON型激光器,包括:
管座和管帽,所述管帽呈类圆柱状并且所述管帽位于所述管座的上方,所述管帽和所述管座固定连接,所述管座包括基座和管脚,所述基座位于所述管脚的上方并且所述基座与所述管帽的下方连接,所述基座与所述管脚固定连接;
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