[实用新型]适配器脉宽调制驱动增强线路

说明书

本实用新型提供一种适配器脉宽调制驱动增强线路，其包括：适配器U1、放大单元、mos管Q3；所述适配器U1经所述放大单元与所述mos管Q3的栅极相连接，所述放大单元包括：NPN三极管Q1、PNP三极管Q2以及电阻R2，所述电阻R2、NPN三极管Q1、PNP三极管Q2依次串联，所述NPN三极管Q1的发射极与PNP三极管Q2的发射极相连接，所述适配器U1的引脚pin1分别与所述NPN三极管Q1和PNP三极管Q2的基极相连接，所述mos管Q3的栅极连接至所述NPN三极管Q1和PNP三极管Q2之间。本实用新型的适配器脉宽调制驱动增强线路通过增加NPN三极管Q1、PNP三极管Q2以及电阻R2，可以最大程度驱动mos管Q3，使得mos管Q3能够充分导通和关断，进而可以有效提高产品效率，满足实际的使用需求。

技术领域

本实用新型涉及一种增强线路，尤其涉及一种适配器脉宽调制驱动增强线路。

背景技术

适配器随着市场的发展和要求，需要满足：轻、薄、短、小等要求。为了满足上述要求，适配器的效率要求越来越高，从85%，提升到87%、 88% 和89%。然而，现有的适配器属于高频开关电源，由于驱动线路的驱动能力不足，不能有效驱动场效应功率半导体，导致适配器的效率不能提升，无法充分满足实际的使用需求。因此，针对上述问题，有必要提出进一步地解决方案。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种适配器脉宽调制驱动增强线路，以克服现有技术中存在的不足。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种适配器脉宽调制驱动增强线路，其包括：适配器U1、放大单元、mos管Q3；

所述适配器U1经所述放大单元与所述mos管Q3的栅极相连接，所述放大单元包括：NPN三极管Q1、PNP三极管Q2以及电阻R2，所述电阻R2、NPN三极管Q1、PNP三极管Q2依次串联，所述NPN三极管Q1的发射极与PNP三极管Q2的发射极相连接，所述适配器U1的引脚pin1分别与所述NPN三极管Q1和PNP三极管Q2的基极相连接， 所述mos管Q3 的栅极连接至所述NPN三极管Q1和PNP三极管Q2之间。

作为本实用新型的适配器脉宽调制驱动增强线路的改进，所述适配器U1的引脚pin1通过电阻R1分别与所述NPN三极管Q1和PNP三极管Q2的基极相连接。

作为本实用新型的适配器脉宽调制驱动增强线路的改进，外部电压输入端vcc与所述电阻R2相连接。

作为本实用新型的适配器脉宽调制驱动增强线路的改进，所述PNP三极管Q2的集电极信号接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的适配器脉宽调制驱动增强线路通过增加NPN三极管Q1、PNP三极管Q2以及电阻R2，可以最大程度驱动mos管Q3，使得mos管Q3能够充分导通和关断，进而可以有效提高产品效率，满足实际的使用需求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的适配器脉宽调制驱动增强线路一实施例的电路图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本实用新型的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本实用新型的保护范围之内。

本实用新型提供一种适配器脉宽调制驱动增强线路，其包括：适配器U1、放大单元、mos管Q3；