[实用新型]一种新型霍尔传感器芯片有效
| 申请号: | 202020405201.0 | 申请日: | 2020-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN213515692U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 韩志刚;吴杰;郭霄江 | 申请(专利权)人: | 上海太矽电子科技有限公司 |
| 主分类号: | G01D5/14 | 分类号: | G01D5/14 |
| 代理公司: | 安徽权小七知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34172 | 代理人: | 闵兴伍 |
| 地址: | 201108 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 霍尔 传感器 芯片 | ||
本实用新型涉及集成电路技术领域,具体为一种新型霍尔传感器芯片,包括输入电压端口和两个输出端口,还包括电压调整器、放大器电路、输出控制器、霍尔元件、放大电路、施密特触发器电路和温度补偿电路,所述带电压调整器分别与所述输出控制器,所述霍尔元件、所述放大电路、所述施密特触发器电路分别与所述温度补偿电路连接,所述霍尔元件与所述放大电路连接。本申请方案中,Schmidt Trigger电路是霍尔传感器芯片利用CMOS工艺制作的施密特触发器电路,采用施密特触发器电路,可有效的减小误动作,使输出信号稳定,Amplifier电路是霍尔传感器芯片利用CMOS工艺制作的放大滤波电路,用于将霍尔元件感应的电压信号放大,CMOS工艺可有效过滤干扰信号。
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,具体为一种新型霍尔传感器芯片。
背景技术
CMOS工艺是随着时代的发展,在芯片本身集成度要求提高的前提下产生的一种量产工艺。半导体制造工艺的发展使得现今CMOS工艺最小线宽不断下降,意味着在同样面积的晶片上可集成更多的电路,特别是数字处理电路。由此CMOS工艺的霍尔芯片可通过内置斩波放大处理电路、动态失调消除电路等方式有效控制磁参数的偏差范围,其最大的优点是具有精准的磁开关动作点,磁性灵敏度选择范围较广,对于温漂的控制,亦可通过内置温度补偿电路实现,与此同时,因其其线宽窄,导致芯片本身的耐压性能一般。
Bipolar产品具有良好的电特性,包括其可以在宽泛的工作电压环境下工作,反向电压保护电路设计简单高效,同时兼顾ESD保护及抗电磁干扰能力。其缺点是磁特性表现一般,包括传感器本身的磁开启点与关闭点一致性及对称性不佳,且随温度变化,其磁参数变化较大,也就是常说的温漂较大。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种新型霍尔传感器芯片,为了提高霍尔传感器芯片的耐压,ESD能力,抗干扰能力,同时具有高灵敏度,磁参数一致性的目的。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型霍尔传感器芯片,包括输入电压端口和两个输出端口,其特征在于;还包括电压调整器、输出控制器、霍尔元件、放大电路、施密特触发器电路和温度补偿电路,所述电压调整器分别与所述输出控制器、所述霍尔元件、所述放大电路、所述施密特触发器电路和所述温度补偿电路连接,所述霍尔元件与所述放大电路连接,所述放大电路与所述施密特触发器电路连接,所述温度补偿电路与所述施密特触发器电路连接,所述输出控制器与两个三极管连接,电压调整器和输出控制器的Bipolar工艺的Die与霍尔元件、放大电路、施密特触发器电路和温度补偿电路的CMOS工艺的Die电连接。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种新型霍尔传感器芯片。具备以下有益效果:
1、Bipolar工艺制作的Die与CMOS工艺制作的Die通过打线方式集成在同一颗芯片上,可有效提高芯片的耐压,ESD能力,也可提高抗干扰能力。
2、采用COMS工艺,可保证芯片的精度,灵敏度,减小磁参数失调, TemperatureCompensation电路是霍尔传感器芯片利用CMOS工艺制作的温度补偿电路,可有效的解决温漂现象。
3、Schmidt Trigger电路是霍尔传感器芯片利用CMOS工艺制作的施密特触发器电路,采用施密特触发器电路,可有效的减小误动作,使输出信号稳定,Amplifier电路是霍尔传感器芯片利用CMOS工艺制作的放大滤波电路,用于将霍尔元件感应的电压信号放大,CMOS工艺可有效过滤干扰信号。
4、Hall Sensor电路是霍尔传感器芯片利用CMOS工艺制作的霍尔元件,通过感应磁信号产生电压,Output Driver电路霍尔传感器芯片利用Bipolar 工艺的带载能力强的特点,制作输出电路,可提高芯片的带载能力,同时使输出端口具有高ESD的能力。
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