[实用新型]反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片

权利要求书

1.反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，其特征在于：所述反射金属层与低折射率介质层构成全方位反射镜，在反射金属层与低折射率介质层中开有若干个P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；在600nm-700nm波段范围内，反射金属层的反射率高于P电极金属层的反射率；P电极金属层与P型掺杂层的接触电阻低于反射金属层与P型掺杂层的接触电阻；N电极由焊盘和若干根扩展电极线组成，在相邻的扩展电极线之间排列有若干个P电极孔。

2.根据权利要求1所述的反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片，其特征在于：所述反射金属层为Ag或Au，厚度为10 nm-200 nm。

3.根据权利要求1所述的反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片，其特征在于：P电极孔的总面积占全方位反射镜表面积的1%-10%。