[实用新型]一种异形反光导电体的高光利用率组件有效
申请号: | 202020403957.1 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN211789050U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 陈燕平;林俊良;李清波;林金锡;林金汉 | 申请(专利权)人: | 常州亚玛顿股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/054 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 王清 |
地址: | 213021 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异形 反光 导电 利用率 组件 | ||
本实用新型为一种异形反光导电体的高光利用率组件,包括太阳能电池,所述太阳能电池由矩阵排布的若干串电池串串联组成,若干串所述电池串由若干片电池片串联而成,每串所述电池串中相邻两个所述电池片与电池片之间通过互联条连接,每串所述电池串中相邻两个所述电池片与电池片之间设有间隙,所述间隙内设有导电体,所述导电体与所述互联条电性连接,所述导电体上设有反射结构,所述导电体的形状大小与所述间隙形状大小一致,所述反射结构的长度方向与所述电池片的边缘平行,所述反射结构的两端与相邻的所述电池片的倒角平行。本实用新型通过电池片与电池片中间添加导电体,将电池片间隙处的光充分利用,提升了光伏组件的发电效率,降低了电阻。
技术领域
本实用新型涉及太阳能组件技术领域,尤其涉及一种异形反光导电体的高光利用率组件。
背景技术
随着光伏组件的发展,开发出高效率高功率组件是各家企业一个重点研究课题。现有高功率技术,如:半片、拼片:主要是通过缩短电池片与电池片的间距,通过降低组件电阻和更多的电池片来提升组件功率,但会降低电池间隙中光的再次利用。
目前光伏产业采用反光膜张贴在电池片与电池片的间隙处,以提高光能利用率。但限于单晶电池组件不是方形组件,四边有倒角,倒角处电池间隙光利用较差。另外随着电池片与电池片片间距的扩大,互联条也随之会变长,组件的电阻也会随之变大。
实用新型内容
本实用新型为了解决电池片与电池片之间倒角处光利用率低的问题,本实用新型提供了一种异形反光导电体的高光利用率组件,包括太阳能电池,所述太阳能电池由矩阵排布的若干串电池串串联组成,若干串所述电池串由若干片电池片串联而成,每串所述电池串中相邻两个所述电池片与电池片之间通过互联条连接,每串所述电池串中相邻两个所述电池片与电池片之间设有间隙,所述间隙内设有导电体,所述导电体与所述互联条电性连接,所述导电体上设有反射结构,所述导电体的形状与所述间隙形状一致,所述反射结构的长度方向与所述电池片的边缘平行,所述反射结构的两端与相邻的所述电池片的倒角平行。
作为优选,若干所述电池片同一个表面极性相同,所述互联条将所述电池片的负极与相邻的所述电池片的正极连通。互联条从一个电池片的上端面连接到下一个电池片的下端面,将相邻两个电池片串联起来。
进一步地,所述反射结构为反光贴膜。反光贴膜的反射面与电池片位置相对应,反光膜层可以粘贴在导电体上,利用反光膜层,将照射到反光膜层上的太阳能反射到电池片上,提高光线利用率。
作为优选,所述反射结构为锯齿状凸条或者圆弧状的凸条,所述凸条的反射面与朝向所述电池片。凸条的反射面与电池片的位置相对应,凸条的反射面将光线反射到两侧的电池片上,提高光线利用率。
进一步地,所述导电体的宽度方向上中间高两边低。导电体的宽度为同一串电池串中一个电池片到相邻电池片的距离,导电体采用中间高两边低的结构,使得在导电体上的反射结构也变成了中间高两边低的结构,从而当光照射到凸条上时,反射结构可以将光反射到更远的地方,最终使得反射的角度更大,距离更远。
作为优选,所述间隙的距离为6~21mm。为了提高光线利用率,间隙越大,间隙内的导电体受光面越大,由于导电体上有反射结构,反射出来的光线更多,光线利用率越高。现有技术中,为了减少电阻,间隙一般为2~4mm,常规的间隙一般设置为3mm,间隙越大互联条越长会导致电阻的增大,而本实用新型采用扩大间隙,来充分利用间隙内的阳光,从而提高发电量,同时,本实用新型还采用导电体的结构,导电体结构与互联条连通,由于互联条是由若干根导线组成,导电体焊接在互联条上,使得互联条内的若干导线并联连接,从而降低了电阻。
进一步地,为了充分利用间隙内的光,所述导电体的宽度小于所述间隙的0.5~3mm,所述导电体的长度比所述电池片的长度长 0~0.5mm,所述导电体的厚度为0.1-0.4mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的