[实用新型]一种MEMS传感器封装结构有效
| 申请号： | 202020403712.9 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN212101981U | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 马宏 | 申请（专利权）人： | 觉芯电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 封装 结构 | ||
1.一种MEMS传感器封装结构，其特征在于，包括封帽(1)、管壳结构(2)以及MEMS芯片(3)；
所述管壳结构(2)设有容纳腔(4)以及加深腔(5)，所述封帽(1)盖设于所述管壳结构(2)上，用于封闭所述容纳腔(4)；
所述MEMS芯片(3)设置于所述容纳腔(4)内，且所述MEMS芯片(3)的背腔正对所述加深腔(5)。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述管壳结构(2)包括自下而上的衬底层(201)、打线层(202)以及密封层(203)。
3.根据权利要求2所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述加深腔(5)设置于所述衬底层(201)上，且所述加深腔(5)的深度为0.1mm～10mm。
4.根据权利要求2所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述管壳结构(2)还包括设于所述衬底层(201)与所述打线层(202)之间的粘片层(204)，所述加深腔(5)设置于所述粘片层(204)上。
5.根据权利要求4所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述加深腔(5)贯穿所述粘片层(204)。
6.根据权利要求2所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述MEMS芯片(3)与所述衬底层(201)之间还设有垫片结构(205)，所述加深腔(5)设置于所述垫片结构(205)上。
7.根据权利要求6所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述加深腔(5)贯穿所述垫片结构(205)。
8.根据权利要求6所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述加深腔(5)由多个阻尼释放孔(501)组成。
9.根据权利要求6所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述加深腔(5)内设有一个可动平板(6)，所述可动平板(6)用于调节所述加深腔(5)的深度。
10.根据权利要求9所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述可动平板(6)采用马达驱动、静电驱动、电磁驱动、压电驱动、电热驱动中的一种方式驱动。
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