[实用新型]微波多普勒探测设备

权利要求书

1.一微波多普勒探测设备，其特征在于，包括：

一电路单元，其中所述电路单元包括一振荡电路单元和一混频检波单元，其中所述振荡电路单元被设置允许被供电而于其馈极输出一馈电信号和于其地极被接地以作为一激励信号馈源；

一电磁屏蔽层，其中所述电磁屏蔽层被设置有一通孔，其中所述电路单元被设置于所述电磁屏蔽层的一面所对应的空间；

至少一对对偶耦合极子，其中所述对偶耦合极子被设置于所述电磁屏蔽层的另一面所对应的空间，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述混频检波单元被电性耦合于所述振荡电路单元和所述对偶耦合极子，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端被经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层的一第一馈电线电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端被经所述通孔穿透所述电磁屏蔽层的一第二馈电线电性连接于所述振荡电路单元的地极，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近，其中λ为与所述馈电信号的频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长，如此以当所述振荡电路单元被供电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置；以及

一电磁反射面，其中所述电磁反射面被阻隔于所述对偶耦合极子和所述电路单元之间，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点与所述电磁反射面之间的距离满足大于等于λ/32。

2.根据权利要求1所述的微波多普勒探测设备，其中所述微波多普勒探测设备进一步包括一电路基板，其中所述电磁反射面和所述电路单元于所述电路基板的两相对面被承载于所述电路基板。

3.根据权利要求2所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被设置以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点对称。

4.根据权利要求3所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线延伸的柱状导电线。

5.根据权利要求3所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线。

6.根据权利要求5所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被一次弯折，相应被弯折的所述第一辐射源极为自所述第一馈电端顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线，相应被弯折的所述第二辐射源极为自所述第二馈电端顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线。

7.根据权利要求5所述的微波多普勒探测设备，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状直导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状直导电线。