[实用新型]一种成膜用炉管机台有效
| 申请号： | 202020393722.9 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211350594U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张宇杰;陈鑫;王爱进;吴建璋;徐晓军 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/46;C30B31/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 成膜用 炉管 机台 | ||
1.一种成膜用炉管机台，包括：
限定反应腔的主体，所述主体一端封闭，另一端开口；
用于加热反应腔的主加热器，所述主加热器围绕所述主体的外周设置；
用于承载晶圆的晶舟，所述晶舟位于所述反应腔内；
底盖，所述底盖支撑晶舟并且用于封闭所述主体的开口；以及
辅助加热器，所述辅助加热器固定于所述底盖上并且部分地位于所述晶舟内，用于对反应腔的下部区域进行加热。
2.根据权利要求1所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述辅助加热器包括盘部和与所述盘部连接的管部，其中所述盘部位于所述晶舟内。
3.根据权利要求2所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述盘部包括真空腔体和设置在所述真空腔体内的电加热丝。
4.根据权利要求2所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述底盖设置有孔，所述辅助加热器的所述管部穿过所述孔固定于所述底盖上。
5.根据权利要求1所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述晶舟包括底部端板、顶部端板和设置在所述底部端板和所述顶部端板之间的多个支撑杆，其中所述底部端板支撑在所述底盖上，其中所述支撑杆上设置有用于放置晶圆的晶圆槽。
6.根据权利要求5所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述底部端板限定中心孔，所述辅助加热器穿过所述底部端板的所述中心孔固定于所述底盖上。
7.根据权利要求2所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述辅助加热器的所述盘部与所述晶舟、所述底盖同轴设置，所述辅助加热器的所述管部相对于所述晶舟、所述底盖偏置设置。
8.根据权利要求1所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述反应腔内设置有多个温度传感器，其中至少一个温度传感器靠近所述辅助加热器设置。
9.根据权利要求1所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述辅助加热器为石英加热器。
10.根据权利要求1所述的成膜用炉管机台，其特征在于，所述成膜用炉管机台为高温氧化制程用炉管机台。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
