[实用新型]一种反激开关电源无损吸收电路

说明书

本实用新型公开了一种反激开关电源无损吸收电路，包括变压器T1，芯片控制电路，三极管Q1，三极管Q2，MOS管Q3，三极管Q4，电阻R1，二极管D1，电容C1，电阻R2，极性电容CE1，二极管ZD1，极性电容CE2。本实用新型提供一种反激开关电源无损吸收电路，更好的提高了电源的整体效率，同时还能降低电源的待机功耗，还解决了现有电源使用时发热的情况，更好的满足了社会进步的需求，提高了企业的竞争力。

技术领域

本实用新型属于电子电路领域，具体是指一种反激开关电源无损吸收电路。

背景技术

老型RCD吸收电路如图1所示，其工作原理为：Q3截止时变压器T1的5脚产生正电压1脚产生负电压，电流回路为变压器T1的5脚到二极管D1到电容C1和电阻R3再到变压器T1的1脚，整个变压器漏感能量全部由电阻R3热损耗掉，如此仅会增加电源的内部发热量，且电能也无法得到充分的利用，导致了电能运用的效率较低。

随着消费类电子产品的兴起，与之配套的适配器反激电源效率提升越来越困难，如何设计新的电路来替代老型的RCD吸收电路以进一步提高电源的效率便是如今各个企业的研发重点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述问题，提供一种反激开关电源无损吸收电路，更好的提高了电源的整体效率，同时还能降低电源的待机功耗，还解决了现有电源使用时发热的情况，更好的满足了社会进步的需求，提高了企业的竞争力。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：

一种反激开关电源无损吸收电路，包括变压器T1，芯片控制电路，三极管Q1，三极管Q2，MOS管Q3，三极管Q4，串接在三极管Q1的B极和C极之间的电阻R1，P极与变压器T1的原边电感线圈的同名端10脚相连接、N极与三极管Q1的C极相连接的二极管D1，串接在二极管D1的N极和三极管Q4的C极之间的电容C1，串接在三极管Q4的C极和B极之间的电阻R2，正极与变压器T1原边电感线圈的非同名端6脚相连接、负极经电阻R4后与MOS管Q3的D极相连接的极性电容CE1，N极与三极管Q4的B极相连接、P极与极性电容CE1的负极相连接的二极管ZD1，以及正极与三极管Q4的E极相连接、负极与二极管ZD1的P极相连接的极性电容CE2；其中，极性电容CE1的正极与电源的正极相连接、极性电容CE1的负极与电源的负极相连接。

进一步的，所述三极管Q1的E极与三极管Q2的B极相连接，三极管Q1的C极与三极管Q2的C极相连接，三极管Q2的E极与极性电容CE1的正极相连接。

再进一步的，所述MOS管Q3的S极与二极管D1的P极相连接，MOS管Q3的G极接芯片控制电路的PWM信号输出脚。

更进一步的，所述三极管Q4的E极与芯片控制电路的电源输入端相连接，极性电容CE1的负极与芯片控制电路的信号触发端相连接，三极管Q1的B极与芯片控制电路的输出端相连接。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

本实用新型的电路结构在整个工作周期内能够实现无损吸收，可以把变压器的漏感能量返还给电源，相比较传统的老型RCD吸收电路，本申请的效率在低压输入时可以提高1.5个点，且在高压输入时可以提高0.8个点，待机消耗能够降低0.02W。

附图说明

图1为老型RCD钳位吸收电路的电路结构图。

图2为本实用新型的电路结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例