[实用新型]一种主动控制摆式双频电磁阻尼结构及阻尼转子

权利要求书

1.一种主动控制摆式双频电磁阻尼结构，其特征在于：包括上部阻尼器本体、下部阻尼器本体、将上部阻尼器本体和下部阻尼器本体同时容纳在内腔中的阻尼器座(6)、盖设在阻尼器座(6)上的阻尼器盖(1)；

所述阻尼器座(6)中盛装有阻尼油，所述上部阻尼器本体和下部阻尼器本体之间通过柔性连接件(10)连接，且下部阻尼器本体通过支杆(7)与阻尼器座(6)内腔底部连接，上部阻尼器本体和下部阻尼器本体在阻尼油中震荡，从而消耗所述上部阻尼器本体上端连接的振动源的能量。

2.根据权利要求1所述的主动控制摆式双频电磁阻尼结构，其特征在于，所述上部阻尼器本体包括：活动插接在阻尼器盖(1)上开设的通槽中的上振动块(11)、上振动块(11)周围缠绕的上电磁线圈(12)、与上电磁线圈(12)平行设置配对的上激励线圈(2)，所述上激励线圈(2)安装在阻尼器座(6)的内腔上，上电磁线圈(12)和上激励线圈(2)配对，从而对上振动块(11)施加电磁力消耗上振动块(11)上端连接的振动源的能量。

3.根据权利要求2所述的主动控制摆式双频电磁阻尼结构，其特征在于，所述下部阻尼器本体包括：通过柔性连接件(10)与上振动块(11)连接的下振动块(8)、下振动块(8)周围缠绕的下电磁线圈(9)、与下电磁线圈(9)平行设置配对的下激励线圈(4)，所述下激励线圈(4)安装在阻尼器座(6)的内腔上，下电磁线圈(9)和下激励线圈(4)配对，从而对下振动块(8)施加电磁力进一步消耗上方传递过来的振动源的能量。

4.根据权利要求3所述的主动控制摆式双频电磁阻尼结构，其特征在于，所述阻尼器座(6)的侧壁上端设有上接线口(3)和下接线口(5)，通过上接线口(3)和下接线口(5)分别对上激励线圈(2)和下激励线圈(4)进行控制。

5.根据权利要求4所述的主动控制摆式双频电磁阻尼结构，其特征在于，所述上激励线圈(2)和下激励线圈(4)均至少有两组，且上激励线圈(2)关于上振动块(11)中心轴对称，下激励线圈(4)关于下振动块(8)中心轴对称。

6.根据权利要求1所述的主动控制摆式双频电磁阻尼结构，其特征在于，所述阻尼器盖(1)和阻尼器座(6)采用相互密封插接设置。

7.一种阻尼转子，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的主动控制摆式双频电磁阻尼结构，且上部阻尼器本体连接有轴承副(13)，且轴承副(13)中转动插接有支承件(14)，且支承件(14)上端连接转子(15)。