[实用新型]显示基板、显示基板母板及显示装置有效
| 申请号: | 202020376744.4 | 申请日: | 2020-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN211238254U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
| 发明(设计)人: | 韩林宏;张毅;黄炜赟;张祎杨;龙跃;高永益;秦世开;杨玉清;于鹏飞;周洋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 成亚婷 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 母板 显示装置 | ||
本公开实施例公开了一种显示基板、显示基板母板及显示装置,涉及显示技术领域,用于提升显示基板的生产良率。该显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的至少一层无机膜、设置于所述至少一层无机膜的背离衬底基板的一侧的至少一层金属图案、以及设置于每层金属图案的背离衬底基板的一侧的有机膜。所述至少一层无机膜位于非显示区内的至少一侧的边缘部分呈台阶状。每层金属图案均包括导电图案和残留图案,残留图案在衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在衬底基板上的正投影内。每层有机膜的边缘部分包覆对应金属图案的残留图案。本公开实施例提供的显示基板采用激光切割工艺获得。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、显示基板母板及显示装置。
背景技术
在显示装置的生产制备过程中,无论是薄膜晶体管-液晶(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display,简称TFT-LCD)显示装置,或者有机电致发光二极管(OrganicLight EmittingDiode,简称OLED)显示装置等,均是在母板上进行整体制作后再切割分离,以进一步完成后续工艺,从而提高显示装置的生产效率,并降低其生产成本。
实用新型内容
本公开实施例的目的在于提供一种显示基板、显示基板母板及显示装置,用于解决显示基板因其边缘区域内金属残留而导致显示不良的问题,以提升显示基板的生产良率。
为达到上述目的,本公开实施例提供了如下技术方案:
本公开实施例的第一方面提供了一种显示基板。该显示基板具有显示区和位于显示区的至少一侧的非显示区。该显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的至少一层无机膜、设置于所述至少一层无机膜的背离衬底基板的一侧的至少一层金属图案、以及设置于每层金属图案的背离衬底基板的一侧的有机膜。所述至少一层无机膜位于非显示区内的至少一侧的边缘部分呈台阶状。每层金属图案均包括导电图案和残留图案,残留图案在衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在衬底基板上的正投影内。每层有机膜的边缘部分包覆对应金属图案的残留图案。
在本公开实施例中,金属图案的残留图案的形成,是由于至少一层无机膜的边缘部分呈台阶状结构造成的。本公开实施例在每层金属图案的背离衬底基板的表面上制作有机膜,并使得有机膜的边缘部分有效包覆对应金属图案的残留图案,能够利用有机膜对该残留图案进行遮挡保护。由此,在制作后一层金属图案或其他导电部的过程中,利用有机膜对相应残留图案的包覆遮挡,可以有效防止后一层金属图案或其他导电部在湿法刻蚀时所需的刻蚀液与前一层金属图案的残留图案接触,从而避免后一层金属图案或其他导电部因所述残留图案短路,或者避免因刻蚀液中的金属离子与所述残留图案发生金属置换而造成显示区内具有显示暗点等。如此,有效解决了显示基板因其边缘部分的金属残留而导致的显示不良问题,有利于提升显示基板的生产良率。
在一些实施例中,所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分的厚度,沿平行于衬底基板且靠近衬底基板中的对应侧边界的方向逐渐减小;其中,所述对应侧边界为衬底基板的距离所述至少一层无机膜的边缘部分最近的边界。
在一些实施例中,所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分的边界在衬底基板上的正投影与衬底基板中的对应侧边界重合。
在一些实施例中,最外层有机膜的边缘部分的边界在衬底基板上的正投影,与衬底基板中的对应侧边界之间具有间隔;其中,所述对应侧边界为衬底基板的距离所述最外层有机膜的边缘部分最近的边界。
在一些实施例中,所述至少一层无机膜包括阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜或层间绝缘膜中至少一种的至少一层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





