[实用新型]垂直腔面发射激光器件

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器件，其特征在于，包括：

下镜；

上镜，布置于所述下镜上方；

活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；

下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；

上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；

高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及

高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述高浓度掺杂的p型半导体层包括p⁺⁺InAlAs或p⁺⁺InAlGaAs。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述高浓度掺杂的n型半导体层包括n⁺⁺InP、n⁺⁺InAlGaAs或n⁺⁺InAl As。

4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器件还包括布置于所述活性区域和所述高浓度掺杂的p型半导体层之间的蚀刻阻挡层。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述蚀刻阻挡层包括p型InP。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述活性区域包括障壁层及布置于所述障壁层之间的阱层，所述障壁层及所述阱层包括InAlGaAs系列的半导体。

7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器件还包括相接于所述活性区域而布置于所述活性区域两侧的InAlGaAs系列的间隔层。

8.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述下n型覆层及所述上n型覆层分别包括n型接触层。

9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器件还包括分别接触于所述下n型覆层及所述上n型覆层的下欧姆接触层及上欧姆接触层。

10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述下欧姆接触层及所述上欧姆接触层包括AuGe。

11.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器件还包括绝缘层，所述绝缘层局部性位于所述上n型覆层和所述上欧姆接触层之间而将所述上欧姆接触层的外侧边缘与所述上n型覆层隔开。

12.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述下镜是反复层叠InAlAs和InAlGaAs而形成的分布式布拉格反射器，所述上镜是反复层叠具有彼此不同折射率的电介质层而形成的分布式布拉格反射器。

13.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器件包括：

环状的沟槽，使所述下n型覆层暴露；以及

台面，被所述沟槽围绕，

所述台面包括所述活性区域、所述高浓度掺杂的p型半导体层、所述高浓度掺杂的n型半导体层以及所述上n型覆层，

所述上镜在所述台面上布置于所述上n型覆层上。