[实用新型]采用多基岛引线框架的芯片封装结构

权利要求书

1.一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，包括：

多基岛引线框架，包括第一类引脚以及相互之间电气隔离的第二基岛、第三基岛与第四基岛；其中，所述第一类引脚包括第一交流电输入引脚、第二交流电输入引脚、总线引脚以及接地引脚，相邻两引脚之间的间距大于预设距离值，且所述总线引脚与所述第二基岛直接连接，所述第一交流电输入引脚与所述第三基岛直接连接，所述第二交流电输入引脚与所述第四基岛直接连接；

一颗双N衬底二极管，设置于所述第二基岛上，所述双N衬底二极管包括第一阳极、第二阳极以及共用的阴极，其阴极与所述第二基岛电连接、并通过所述第二基岛与所述总线引脚电连接，其第一阳极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阳极通过金属引线与所述第二交流电输入引脚电连接；所述双N衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角；

一第一N衬底二极管，设置于所述第三基岛上，其阴极与所述第三基岛电连接、并通过所述第三基岛与所述第一交流电输入引脚电连接，其阳极通过金属引线与所述接地引脚电连接；

一第二N衬底二极管，设置于所述第四基岛上，其阴极与所述第四基岛电连接、并通过所述第四基岛与所述第二交流电输入引脚电连接，其阳极通过金属引线与所述接地引脚电连接。

2.如权利要求1所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述双N衬底二极管、所述第一N衬底二极管与所述第二N衬底二极管均采用粘结剂分别粘贴于相应的基岛上。

3.如权利要求1所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括一主控芯片，所述多基岛引线框架上还设有一第一基岛；所述主控芯片设置于所述第一基岛上。

4.如权利要求3所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第一基岛为打凹结构，且所述第一基岛打凹后作为所述接地引脚。

5.如权利要求3所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述主控芯片的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线平行或具有一夹角。

6.如权利要求3所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第一基岛位于所述多基岛引线框架的中部，且两侧分别与连筋相连；所述第二基岛与所述第三基岛并排放置，并均位于所述第一基岛的第一侧；所述第四基岛与所述第三基岛相对设置，并位于所述第一基岛的第二侧；其中，所述第二侧与所述第一侧为所述第一基岛的相对的两侧。

7.如权利要求3所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第一基岛两侧分别与连筋相连；所述第二基岛、所述第三基岛、所述第四基岛均位于所述第一基岛的同一侧。

8.如权利要求3所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第一交流电输入引脚、所述第二交流电输入引脚、所述总线引脚均位于所述多基岛引线框架的同一侧。

9.如权利要求7所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第三基岛与所述第四基岛分别位于所述第二基岛的两侧。

10.如权利要求7所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第三基岛与所述第四基岛均位于所述第二基岛的同一侧，且所述双N衬底二极管的两相对侧边与所述芯片封装结构的一中轴线具有一夹角。

11.如权利要求10所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述第三基岛与所述第四基岛中，靠近所述第二基岛的基岛向所述第一基岛方向延伸形成一凸起。

12.如权利要求1或3所述的采用多基岛引线框架的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括设置于所述第二基岛上的一N衬底续流元器件。