[实用新型]一种蚀刻设备

说明书

本实用新型公布一种蚀刻设备，包括：蚀刻槽、上极板、下极板和可变电源，上极板和下极板分别设置在蚀刻槽的上下底面，蚀刻槽用于容置蚀刻液且内部用于放置待蚀刻基板，可变电源与上下极板连接，可变电源通过调节上极板和下极板的电压来控制蚀刻槽的蚀刻液中蚀刻出的离子在待蚀刻基板位置的浓度。上述技术方案通过上极板和下极板来调节电源的电压，实现区域性调节蚀刻出的离子在待蚀刻基板位置的浓度，进而改变蚀刻速度。具有如下优点，第一，可以改变待蚀刻基板中不同位置的蚀刻速率，优化待蚀刻基板的坡度角。第二，可以实现对蚀刻速率的精确控制，第三，可以延长蚀刻液的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，尤其涉及一种蚀刻设备。

背景技术

在某些半导体制程中(如制备TFT金属导线)，为了保护大尺寸显示屏的充电率，减少响应时间的要求，需要降低金属线的电阻，改变导电材料增加其厚度。但厚度的增加，会导致坡度角(也称为taper角)变大，并引发各种不良。

一方面坡度角过大会使金属线的顶部形成尖锐部分，并刺破上层绝缘层，也会产生尖端放电而引起不同层金属线之间的击穿，进而导致短路。另一方面坡度角过大会导致覆盖金属线的绝缘层在金属线的底部形成空洞，进而造成缺陷。

蚀刻槽中的待刻蚀工件的taper角大，蚀刻液(如酸性氯化铜、碱性氯化铜、硝酸铜、硝酸铝等)的寿命短，也无法控制该蚀刻液中金属离子(铜离子或者铁铝离子)的浓度的缺陷。

实用新型内容

为此，需要提供一种蚀刻设备，解决无法控制蚀刻出的离子浓度，导致坡度角过大的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种蚀刻设备，包括：蚀刻槽、上极板、下极板和可变电源，上极板和下极板分别设置在蚀刻槽的上下底面，蚀刻槽用于容置蚀刻液且内部用于放置待蚀刻基板，可变电源与上下极板连接，可变电源通过调节上极板和下极板的电压来控制蚀刻槽的蚀刻液中蚀刻出的离子在待蚀刻基板位置的浓度。

进一步地，还包括第一检测单元，第一检测单元设置在蚀刻槽的侧壁上且靠近待蚀刻基板位置，第一检测单元用于检测蚀刻液中蚀刻出的离子在待蚀刻基板位置的浓度。

进一步地，还包括第二检测单元，第二检测单元设置在蚀刻槽的侧壁且在第一检测单元上方。

进一步地，还包括控制器，控制器分别与第一检测单元和可变电源连接，控制器用于获取第一检测单元数据并根据第一检查单元数据改变可变电源的电压。

进一步地，所述控制器为单片机。

进一步地，还包括检测计算机，计算机分别与可变电源和控制器连接。

进一步地，蚀刻出的离子为铜离子。

区别于现有技术，上述技术方案通过上极板和下极板来调节电源的电压，实现区域性调节蚀刻出的离子在待蚀刻基板位置的浓度，进而改变待蚀刻基板位置的蚀刻速度。具有如下优点，第一，可以改变待蚀刻基板中不同位置的蚀刻速率，优化待蚀刻基板的坡度角。第二，可以实现对蚀刻速率的精确控制，第三，可以延长蚀刻液的使用寿命。

附图说明

图1为实施例一所述蚀刻设备的结构示意图；

图2为实施例二所述蚀刻设备的结构示意图。

附图标记说明：

1、极板；

11、下极板；

12、上极板；

2、可变电源；

3、蚀刻槽；

31、蚀刻液；

32、蚀刻出的离子；