[实用新型]一种高速光调制器

权利要求书

1.一种高速光调制器，其特征在于，铌酸锂基底晶片、脊形结构、光波导以及沟槽、缓冲层薄膜、金属电极，

所述脊形结构形成于铌酸锂基底晶片的表面，所述脊形结构的宽度是5μm～30μm，深度是5μm～200μm，

所述沟槽形成于铌酸锂基底晶片的表面，其深度与脊形结构的深相同，宽度是10μm～500μm，所述沟槽的长度不超过铌酸锂基底晶片的长度；

所述光波导形成于铌酸锂基底晶片的表面，其部分放置于脊形结构中；

所述金属电极为共面行波电极结构，包括信号电极以及分别放置于信号电极左侧和右侧的接地电极，所述信号电极包括调制电极、弯曲电极、锥形过渡电极、电极焊盘，所述调制电极用于对传输于光波导中的光波进行相位调制，其中，所述调制电极放置于脊形结构的上方。

2.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，所述光波导为直条状。

3.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，所述调制电极的宽度是2μm～20μm。

4.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，所述接地电极和脊形结构的底部的边缘之间的间距是1μm～50μm。

5.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，所述铌酸锂基底晶片为光学级晶体材料，厚度在0.1mm～2.0mm，所述铌酸锂基底晶片抛光成0°～15°的倾斜角度。

6.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，

所述金属电极采用铬-金双层金属薄膜，其中铬薄膜层的厚度在10nm～500nm，金薄膜层的厚度在0.3μm～50μm。

7.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，

所述缓冲层薄膜的放置位置分为两部分：第一部分，放置于信号电极与铌酸锂基底晶片的表面之间；第二部分放置于接地电极与铌酸锂基底晶片的表面之间。

8.根据权利要求7所述的高速光调制器，其特征在于，

对于第二部分的缓冲层薄膜，放置于与光波导相接触部分的接地电极与铌酸锂基底晶片的表面之间；或者，放置于接地电极的全部结构与铌酸锂基底晶片的表面之间。

9.根据权利要求1所述的高速光调制器，其特征在于，所述脊形结构为两个，分别为第一脊形结构和第二脊形结构；所述沟槽为三个，分别形成于第一脊形结构和第二脊形结构的中间及外侧；

所述金属电极采用双驱动金属电极，包括有两套电极结构，即第一金属电极结构和第二金属电极结构，且第一金属电极结构和第二金属电极结构均为共面行波电极结构，均包括：信号电极，以及分别放置于信号电极左侧和右侧的接地电极；

且第一金属电极结构和第二金属电极结构的调制电极分别放置于第一脊形结构的上方和第二脊形结构的上方。

10.根据权利要求9所述的高速光调制器，其特征在于，所述光波导为马赫-曾德尔干涉仪状，所述光波导的双臂部分分别放置于第一脊形结构和第二脊形结构中。