[实用新型]5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路及电子设备有效
| 申请号： | 202020312999.4 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN210986100U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王斌坚;王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市旗开电子有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H04B1/401;H04B1/00 |
| 代理公司： | 深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 44540 | 代理人： | 赵雪佳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通讯 nr en dc 射频 前端 电路 电子设备 | ||
1.一种5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其特征在于：其包括射频收发器、双刀双掷开关U2113、功率放大器U2101、功率放大器U2110、单刀双掷开关U2109、射频耦合器U2510、单刀双掷开关U2506、5G射频器件U2507、ANT_TRX2天线、ANT_TRX3天线、ANT_TRX1天线和射频前端模组FEM U2202；
所述射频收发器的LTE中频发射信号端和N1发射信号端分别与双刀双掷开关U2113的输入端连接，所述双刀双掷开关U2113的输出端与功率放大器U2101、功率放大器U2110的射频信号输入端连接；
所述射频收发器的LTE高频发射信号端和N41发射信号端分别通过单刀双掷开关U2109与功率放大器U2101的射频信号输入端连接；
所述功率放大器U2101的N41发射信号端与射频耦合器U2510的输入端连接，
所述射频耦合器U2510的N41上行单流信号输出端、5G射频器件U2507的N41上行单流信号输出端通过电容L2566和电容L2567的选择电路与单刀双掷开关U2506的输入端连接；
所述单刀双掷开关U2506的输出端与ANT_TRX2天线、ANT_TRX3天线连接；
所述ANT_TRX1天线承载LTE频段及N1频段。
2.根据权利要求1所述的5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其特征在于：其包括ANT_DIV5天线、ANT_DIV4天线、第一5G射频链路、第二5G射频链路，第一5G射频链路、第二5G射频链路的两路轮发信号端分别与ANT_DIV5天线、ANT_DIV4天线连接。
3.根据权利要求2所述的5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其特征在于：其包括功率检测电路，所述射频耦合器U2510的输出端与功率检测电路连接。
4.根据权利要求3所述的5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其特征在于：所述ANT_TRX1天线与ANT_TRX2天线、ANT_TRX3天线、ANT_DIV5天线、ANT_DIV4天线中的其中任意两个天线共同承载B39+N41、B3+N41的EN-DC的通信信号。
5.根据权利要求4所述的5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其特征在于：所述LTE频段中的LTE Band39/3由射频收发器、功率放大器U2110及射频前端模组FEM U2202 间的射频链路实现。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其特征在于：所述射频耦合器U2510的N41上行单流信号输出端通过电容L2567与所述单刀双掷开关U2506的ANT端连接，所述5G射频器件U2507的N41上行单流信号输出端通过电容L2566与所述单刀双掷开关U2506的ANT端连接，所述电容L2566和电容L2567共焊盘。
7.一种电子设备，其特征在于：包括如权利要求1~6中任一项所述的5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路。
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