[实用新型]一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及半导体芯片

权利要求书

1.一种平电场沟槽半导体芯片终端结构，其特征在于，包括：

在N型衬底上形成的P区和P+区，其中，所述P区和所述P+区彼此邻接；

位于所述N型衬底表面上的凹型沟槽，其中，所述凹型沟槽的底部由第一表面、第二表面以及第三表面构成，其中，所述第一表面为所述P区的上表面，所述第二表面为所述P+区与所述P区邻接的区域的表面，所述第三表面为所述N型衬底与所述P区邻接的区域的表面；

填充所述凹型沟槽且覆盖在所述凹型沟槽周边的所述P+区和所述N型衬底的表面上的氧化层；

在所述氧化层上于靠近所述P+区的一侧间隔分布的多个多晶硅场板；

位于所述多个多晶硅场板和未被所述多个多晶硅场板覆盖的所述氧化层表面上的绝缘层；

在所述绝缘层上于相对所述多个多晶硅场板的上方设置的多个金属场板，其中，所述多个金属场板中的部分金属场板通过穿过其下方所述绝缘层的第一接触孔接触所述多晶硅场板，并且通过穿过其下方所述绝缘层、所述多晶硅场板和所述氧化层的第二接触孔接触所述P+区；

在所述绝缘层上于相对未被所述多个多晶硅场板覆盖的所述氧化层表面的上方设置的金属场板；

位于所述多个金属场板及未被所述金属场板覆盖的所述绝缘层表面上的钝化层；

位于所述N型衬底之下的金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述P+区的厚度大于所述P区的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述P+区注入剂量大于等于所述P区注入剂量。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述凹型沟槽的深度的范围为0.5μm～2μm，宽度的范围为50μm～150μm；

所述氧化层的厚度的范围为1μm～5μm；

所述绝缘层的厚度的范围为

所述多晶硅场板的厚度的范围为

5.根据权利要求4所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述氧化层材料为二氧化硅。

6.根据权利要求4所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述绝缘层材料为硼磷硅玻璃或硅酸盐玻璃。

7.根据权利要求4所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述金属场板材料为铝或铝硅合金。

8.根据权利要求4所述的半导体芯片终端结构，其特征在于，

所述钝化层材料为氮化物、氧化物或有机物。

9.一种平电场浅槽半导体芯片，其特征在于，包括若干如权利要求1至8中任一项所述的平电场浅槽半导体芯片终端结构。