[实用新型]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

第一导电类型的第一基底，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面；

第一沟槽，自所述第二表面形成于所述第一基底中；

第二导电类型的第一柱结构，形成于所述第一沟槽中；

所述第一导电类型的第二基底，所述第二基底具有相对的第三表面和第四表面，其中，所述第一基底的第二表面键合于所述第二基底的第四表面上；

第二沟槽，自所述第二表面形成于所述第一基底中，所述第二沟槽与所述第一沟槽对应且所述第二沟槽显露所述第一柱结构；

所述第二导电类型的第二柱结构，形成于所述第二沟槽中，所述第二柱结构与所述第一柱结构相接触，构成联合柱结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，半导体器件结构还包括：

体接触区，位于所述第一基底内，且位于所述联合柱结构的顶部；

栅氧化层，位于所述第一基底上，且所述栅氧化层显露部分所述体接触区；

栅极层，位于所述栅氧化层的表面；

源区，位于所述体接触区内，且位于所述栅氧化层的侧部；

层间电介质层，位于栅极层的表面及侧壁，且显露部分所述源区；

正面金属电极，位于所述体接触区、所述源区及所述层间电介质层的表面；

背面金属电极，位于所述第二基底的所述第三表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一基底包括所述第一导电类型的第一半导体衬底以及位于所述第一半导体衬底上的所述第一导电类型的第一外延层，且所述第一沟槽形成于所述第一外延层中，其中，在键合后去除部分所述第一基底得到所述第一表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二基底包括所述第一导电类型的第二半导体衬底以及位于所述第二半导体衬底上的所述第一导电类型的第二外延层，所述第二半导体衬底的表面构成所述第三表面，所述第二外延层的表面构成所述第四表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二沟槽的深度大于等于所述第一沟槽的高度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述联合柱结构的最大宽度与最小宽度的差值小于所述第一沟槽延伸至所述第一基底的所述第一表面的结构的最大宽度与最小宽度的差值。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一沟槽的截面形状包括倒梯形，所述第二沟槽的截面形状包括倒梯形，所述第二沟槽的底部边缘与对应位置的所述第一沟槽的边缘相重合。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二沟槽的底部边缘与对应位置的所述第一沟槽的边缘相重合。

9.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一沟槽与所述第一沟槽之间的距离大于所述第一沟槽的宽度。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一基底自下而上依次包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，其中，所述第一沟槽形成于所述顶层硅中，且所述第一沟槽的深度与所述顶层硅的厚度相等，且所述底层硅及所述绝缘层在进行所述第一基底与所述第二基底的键合后被去除。