[实用新型]LED显示背板、LED显示器有效
申请号: | 202020287000.5 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN211265472U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 张朋月;徐瑞林;黄嘉桦 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人: | 成姗 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 背板 显示器 | ||
本实用新型提供了一种LED显示背板、LED显示器。LED显示背板的发光点电路包括:基板、第一薄膜晶体管、第一金属层、有源层、电极接触金属层、第二金属层、LED芯片;第一薄膜晶体管设置在基板上,第一薄膜晶体管的漏极延伸成第一金属层,第一金属层上设置有源层,有源层包括与第一金属层位置相对应的主体部分以及延伸的连接部分,主体部分开设有镂空区域,主体部分的非镂空区域设置有电极接触金属层,电极接触金属层上设置有第二金属层,第二金属层上设置有LED芯片。本实用新型在满足像素RGB不同LED芯片达到相同亮度所需的电流差异的同时,又不会改变蓝光发光点、红光发光点、绿光发光点的尺寸大小,从而不会影响显示效果。
技术领域
本实用新型涉及显示器技术领域,尤其涉及一种LED显示背板、LED显示器。
背景技术
Micro-LED显示器具有良好的稳定性、寿命以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。
现有的微发光二极管显示器中,其发光单元包含有红、绿、蓝LED芯片,由于现有的红、绿、蓝LED芯片达到同一亮度时所需要的电流大小不同,又因为LED芯片的驱动电流大小与电容元件的面积,以及第二薄膜晶体管中的有源层与栅极层的相对面积相关。因此,为了便于控制,现有技术会将红、绿、蓝LED芯片电容元件的面积和有源层与栅极层的相对面积设计得大小不一,但是该设计容易导致红、绿、蓝LED所对应的发光点区域的尺寸大小不同,从而影响显示效果。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种LED显示背板、LED显示器,使得每个LED发光亮度一致,具有更优的显示效果。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:
第一方面,本实用新型提供一种LED显示背板,包括发光点阵列区域,发光点阵列区域包括若干个发光点电路,发光点电路包括:基板、第一薄膜晶体管、第一金属层、有源层、电极接触金属层、第二金属层、LED芯片;
第一薄膜晶体管设置在基板上,第一薄膜晶体管的漏极延伸成第一金属层,第一金属层上设置有有源层,有源层包括与第一金属层位置相对应的主体部分以及延伸的连接部分,主体部分开设有镂空区域,主体部分的非镂空区域设置有电极接触金属层,电极接触金属层上设置有第二金属层,第二金属层上设置有LED芯片。
进一步地,发光点电路包括:红光发光点电路、蓝光发光点电路及绿光发光点电路;红光发光点电路、蓝光发光点电路及绿光发光点电路中有源层的镂空区域尺寸均不同。
进一步地,蓝光发光点电路中有源层的镂空区域尺寸大于红光发光点电路中有源层的镂空区域尺寸大于绿光发光点电路中有源层的镂空区域尺寸。
进一步地,镂空区域的宽度小于第一金属层的宽度。
进一步地,电极接触金属层的长度小于第一金属层的长度,镂空区域的宽度与电极接触金属层的宽度之和小于第一金属层的宽度。
进一步地,有源层的主体部分与第一金属层尺寸相等。
进一步地,有源层的连接部分上设置电源阳极线。
进一步地,第二金属层与LED芯片键合连接。
进一步地,第二金属层上设置垂直结构的LED芯片。
进一步地,第二金属层的面积大于第一金属层的面积。
第二方面,本实用新型提供一种LED显示器,包括如上所述的LED显示背板。
本发明的LED显示背板、LED显示器,在满足像素RGB不同LED芯片达到相同亮度所需的电流差异的同时,又不会改变蓝光发光点、红光发光点、绿光发光点的尺寸大小,从而不会影响显示效果。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的