[实用新型]一种并行数据采集分析记录模块有效

申请号：	202020284692.8	申请日：	2020-03-10
公开（公告）号：	CN211124015U	公开（公告）日：	2020-07-28
发明（设计）人：	吴晓;黄文俊;邓彬	申请（专利权）人：	上海盈智科技有限公司
主分类号：	G06F3/06	分类号：	G06F3/06
代理公司：	北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572	代理人：	段宇
地址：	200000 上海市松***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种并行数据采集分析记录模块
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【权利要求书】：

1.一种并行数据采集分析记录模块，包括接口电平转换单元(100)、MCU逻辑分析单元(200)、SRAM数据缓存单元(300)和Eeprom数据存储单元(400)，其特征在于：所述接口电平转换单元(100)、MCU逻辑分析单元(200)和SRAM数据缓存单元(300)均与所述Eeprom数据存储单元(400)相连接。

2.根据权利要求1所述的并行数据采集分析记录模块，其特征在于：所述接口电平转换单元(100)将并口时序信号电平转换为与所述MCU逻辑分析单元(200)相适配的电平信号；

所述MCU逻辑分析单元(200)对所述电平信号的数据和逻辑进行分析，并提取出有效数据；

所述MCU逻辑分析单元(200)将所述有效数据暂存在所述SRAM数据缓存单元(300)中，并直至所有电平信号采集完毕；

所述MCU逻辑分析单元(200)将所述SRAM数据缓存单元(300)中缓存的所有所述有效数据保存到所述Eeprom数据存储单元(400)中。

3.根据权利要求1所述的并行数据采集分析记录模块，其特征在于：所述接口电平转换单元(100)通过设置的多个接口电平转换芯片与所述MCU逻辑分析单元(200)相连接。

4.根据权利要求1所述的并行数据采集分析记录模块，其特征在于：所述MCU逻辑分析单元(200)为MCU芯片。

5.根据权利要求1所述的并行数据采集分析记录模块，其特征在于：所述SRAM数据缓存单元(300)为SRAM芯片。

6.根据权利要求1所述的并行数据采集分析记录模块，其特征在于：所述Eeprom数据存储单元(400)通过设置的多个储存芯片相互并联而成。

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