[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

半导体衬底，具有正面；

第一电介质区域，从所述正面延伸到所述半导体衬底中；

电容性元件，包括在所述正面处的所述第一电介质区域的表面上的堆叠，所述堆叠包括：

第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域，其中所述第二导电区域通过第二电介质区域与所述第一导电区域电绝缘，并且其中所述第二导电区域通过第三电介质区域与所述第三导电区域电绝缘。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二电介质区域和所述第三电介质区域被配置为承受高于3.5伏特的电压。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二电介质区域和所述第三电介质区域被配置为承受高于10伏特的电压。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二电介质区域包括具有的厚度在10nm和20nm之间的高电压氧化物层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二电介质区域包括具有的厚度在5nm和15nm之间的隧道氧化物层。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第三电介质区域包括氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的堆叠，所述堆叠的厚度在10nm和17nm之间。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电容性元件包括由相互电连接的所述第一导电区域和所述第三导电区域形成的第一电极和由所述第二导电区域形成的第二电极。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一导电区域、所述第二导电区域和所述第三导电区域各自包括多晶硅。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少一个电容性元件为模拟或射频接收器器件的部件。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括至少一个高电压晶体管，其中所述高电压晶体管包括由形成所述第二导电区域的材料层形成的栅极和由形成所述第二电介质区域的材料层形成的高电压栅极氧化物。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括包含存储器单元的非易失性存储器器件，所述存储器单元包括浮动栅极晶体管，其中所述浮动栅极晶体管包括由形成所述第二导电区域的材料层形成的浮动栅极和由形成所述第二电介质区域的材料层形成的隧道氧化物。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述浮动栅极晶体管进一步包括由形成所述第三导电区域的材料层形成的控制栅极和由形成所述第三电介质区域的材料层形成的控制栅极电介质区域。

13.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括埋置垂直栅极晶体管，其中所述埋置垂直栅极晶体管包括由形成所述第一导电区域的材料层形成的垂直栅极。