[实用新型]一种晶圆级LGA芯片

说明书

本实用新型公开了一种晶圆级LGA芯片，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制电容下极板，电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制有电容上极板，电容上极板上设有第二隔离介质层，第二隔离介质层上刻制有焊盘开窗，本实用新型提出的新型晶圆级LGA芯片，可进一步减小芯片尺寸，实现小型化，提高芯片集成度。同时传统器件封装成本占比高，采用新型晶圆级LGA封装可进一步缩减封装成本，并缩短加工周期。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体是一种晶圆级LGA芯片。

背景技术

现有技术射频芯片采用wirebond、flipchip、WLCSP、CopperPillar封装方式进行信号引出及应用，这些封装方式不仅包含各种复杂的工艺流程，而且加工周期长，加工成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆级LGA芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种晶圆级LGA芯片，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制电容下极板，电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制有电容上极板，电容上极板上设有第二隔离介质层，第二隔离介质层上刻制有焊盘开窗。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述焊盘开窗的外部设有镀层。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述镀层为金属镀层、抗氧化镀层或可焊性镀层。

作为本实用新型的进一步技术方案：设置第二隔离介质层的方式是通过化学气相沉积方式，形成致密的保护层。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述焊盘开窗7的开窗具体是利用光刻工艺转移焊盘图形到第二隔离介质层6表面，通孔刻蚀工艺刻蚀处进行开窗。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提出的新型晶圆级LGA芯片，可进一步减小芯片尺寸，实现小型化，提高芯片集成度。同时传统器件封装成本占比高，采用新型晶圆级LGA封装可进一步缩减封装成本，并缩短加工周期。

附图说明

图1是晶圆块和电容下极板的结构示意图；

图2是第一隔离介质层的结构示意图。

图3是增加第一通孔的结构示意图。

图4是增加电容上极板的结构示意图。

图5是增加第二隔离介质层的结构示意图。

图6是增加焊盘开窗的结构示意图。

图7是镀层的结构示意图。

图中：1-晶圆块、2-电容下极板、3-第一隔离介质层、4-第一通孔、5-电容上极板、6-第二隔离介质层、7-焊盘开窗、8-镀层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：请参阅图1-7，如图1和图2所示，在晶圆块1表面刻制电容下极板2，并在电容下极板2表面设置第一隔离介质层。其中包括了晶圆块1、电容下极板2和第一隔离介质层3，在本实用新型实例中，晶圆可以是高阻硅、砷化镓或玻璃。

本实用新型实施例中刻制电容下极板的方法可以采用光刻、溅射工艺，光刻工艺是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。