[实用新型]一种制备四氟化碳气体的装置有效

专利信息
申请号: 202020227838.5 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN211964205U 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 林百志;刘志强;邱桂祥;张朝春 申请(专利权)人: 福建德尔科技有限公司
主分类号: B01J19/24 分类号: B01J19/24;C07C17/10;C07C19/08
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 代理人: 刘艳艳
地址: 364204 福建省龙岩*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 氟化 气体 装置
【说明书】:

本实用新型公开了一种制备四氟化碳气体的装置,包括筒体,所述筒体顶部设有碳粒加料口,所述筒体中下部外侧设有冷却水夹套,所述筒体顶部侧面设有四氟化碳粗气出口,所述筒体下端与筒体横管中部连接,所述筒体横管两端上侧分别连接氟气进口管,所述筒体横管一端的底部设有捞渣口,所述筒体横管内部设有筛板,所述筒体横管外侧设有电加热辐射板,所述电加热辐射板上部设有温度计二。该装置通过氟气进口管由两端低部进气,通氟气量大,反应区空间大,气固接触面积大,反应更充分,除渣更方便,通过底部筛板过滤细渣,顶部侧面产品气出,防止氟气与碳粒反应过后的碳渣堵塞,氟气转化率高于98%,工艺运行稳定。

技术领域

本实用新型涉及氟化物制备技术领域,具体来说,涉及一种制备四氟化碳气体的装置。

背景技术

四氟化碳(CF4)是目前微电子工业中用量最大的等离子体蚀刻气体,广泛用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、低温制冷、气体绝缘、泄漏检测剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂、润滑剂及制动液等方面也有大量应用。由于它的化学稳定性极强,CF4还可用于金属冶炼和塑料行业等。

当今超大规模集成电路所用电子气体的特点和发展趋势是超纯、超净、多品种、多规模,各国为推动本国微电子工业的发展,越来越重视发展特种电子气体的生产技术。就目前而言,CF4以其相对低廉的价格长期占据着蚀刻气体的市场,因此具有广阔的发展潜力。四氟化碳的制备方法有很多种,但是用于工业生产的基本上只有单质氟与固体碳粒反应的方法。现有技术制备四氟化碳的反应装置也有多种,目前大多数厂家都采用典型的立式反应装置。

授权公告号为CN 102863312 B(申请号为201210355457.5)的中国发明专利公开了一种四氟化碳制备设备,如图1所示,该设备中第一级反应器上部侧面有入口,顶部有加料口,反应器内部下端设置有筛板,反应器下部气体出口直接与第二级反应器相连,反应器外设降温夹套;第二级反应器顶部与第一级反应器的底部相通,上部有固体含碳原料加料口,下部有出口,反应器内部下端设置有筛板,外部有加热系统,内部有测温装置。

该设备制备四氟化碳的反应过程是:固体碳粒通过顶部碳原料加料口加入反应器中,反应时通过引燃剂引燃碳粒与氟气反应,氟气与碳粒反应所放出的热量通过上部冷却水降温夹套4降温,并通过温度计进行控制,氟气F2通过氟气进口进入反应器内与碳粒反应,第一级反应生成的四氟化碳通过筛板直接进入第二级反应器,第二级反应器设有电加热器对一级产品气四氟化碳进行裂解,并通过温度计进行控制,除去混合气中的氧化性物质,生成的四氟化碳气体从底部产品气体出口进入下一道工序。

上述设备,虽然结构简单、操作方便,但反应时压力波动大,反应后的碳渣储渣空间太小,碳渣容易堵塞筛板,阻碍了碳粒与氟气充分接触,很快导致反应终止,反应器氟气容量小,反应效率相对较低,反应不完全,产品气出口在底部碳渣容易堵塞。

实用新型内容

针对相关技术中的上述技术问题,本实用新型提出一种制备四氟化碳气体的装置,能够克服现有技术的上述不足。

为实现上述技术目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种制备四氟化碳气体的装置,包括筒体,所述筒体顶部设有碳粒加料口,所述筒体中下部外侧设有冷却水夹套,所述筒体顶部侧面设有四氟化碳粗气出口,所述筒体下端与筒体横管中部连接,所述筒体横管两端上侧分别连接氟气进口管,所述筒体横管一端的底部设有捞渣口,所述筒体横管内部设有筛板,所述筒体横管外侧设有电加热辐射板,所述电加热辐射板上部设有温度计二。

进一步的,所述冷却水夹套的上端设有冷却水出口,所述冷却水夹套的右下端设有冷却水进口,所述冷却水进口、所述冷却水出口均与所述冷却水夹套相通,所述冷却水夹套中下部设有温度计一。

进一步的,所述筒体上部外侧设有吊耳。

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