[实用新型]一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构

说明书

本实用新型公开了一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构，包括金属谐振腔、金属腔与介质腔耦合窗口和介质谐振腔，金属谐振腔、介质谐振腔和金属腔与介质腔耦合窗口均设置于壳体内，所述金属谐振腔包括金属谐振腔A、金属谐振腔B和金属谐振腔C，金属腔与介质腔耦合窗口包括金属腔与介质腔耦合窗口A、金属腔与介质腔耦合窗口B和金属腔与介质腔耦合窗口C，介质谐振腔包括介质谐振腔A、介质谐振腔B和介质谐振腔C。本实用新型功率容量大，Q值高，电性能稳定，同轴介质谐振器不容易与金属接触面出现打火烧坏现象，银质耦合件连接也可以承受大功率的射频信号通过。生产过程简单，便于操作，有效提高生产效率，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及防护面罩技术领域，具体为一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构。

背景技术

在现代移动通信技术中，微波射频器件已经成为了必不可少的重要组成部分。传统的金属同轴腔体滤波器虽然使用广泛，技术成熟，但已无法应对现代通信技术对于腔体滤波器低插损，高抑制的要求。腔体介质滤波器虽然具有插损小、抑制高、无源互调好、功率容量大和温度漂移小等优势，但由于其存在制作成本，工艺实现，技术难度等问题，并没有能够得到广泛的应用。由于金属同轴腔体滤波器与腔体介质滤波器各有优势，可以取长补短将两者共同使用在射频器件的双工单元中，对技术指标要求严酷的滤波器可以使用腔体介质滤波器，对常技术指标为常规要求的可以使用成本更低的金属同轴腔体滤波器。腔体介质滤波器通常使用两种不同模式的介质谐振子：TE 模式介质谐振子和TM模式介质谐振子。TM模式介质谐振子的电磁场分布模式与传统金属腔体谐振器的电磁场分布模式相同，因此包含TM模式介质的射频器件，其调谐和耦合的方式与常规金属同轴滤波器相同。TE模式介质谐振子的电磁场分布模式与传统金属同轴腔体谐振器的电磁场分布模式恰好相反，因此在设计同时包含TE模式介质与金属同轴腔体的射频器件的时候，需要着重关注两者的耦合方式。目前对于TE模式介质谐振子和金属同轴腔体谐振器耦合的问题研究还比较少，即使有少量文献，也着重强调两种不同类型谐振器混合使用的应用特点，未见有谈及TE模式介质与金属同轴腔体谐振器耦合方法的文献资料报道。本项目涉及的第5代移动通信产业的中心将是中国无线移动通信基站是现代通信系统重要的物理支撑，为了对通信过程中的特定频率信号进行过滤或者删除，要求通信网络中的每一个基站具备强大的信号处理能力以保证信号传输不出现失真现象。滤波器作为基站中处理信号的关键器件，其性能的改善决定了通信质量的提升和通信技术的发展方向。目前，滤波器的小型化是无线通信基站发展的关键技术之一，高性能高介电常数的陶瓷介质是实现滤波器小型化的关键材料，会影响滤波器的Q值、可靠性等关键性能。因此，本项目对于滤波器性能的改善以及通信技术的发展具有极其重要的意义。移动通信产业是电子信息产业的支柱，这将极大地改变电子信息产业的全球格局。未来几年内，国内第五代移动通信系统建设量将十分巨大，建设速度仅领先于美、日、韩等发达国家，领先欧洲和其他多数亚非拉国家。目前的介质成本较高、近端二次模不理想。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种介质同轴腔体与介质谐振器窗口直接耦合结构，采用介质金属混合腔技术、本实用新型所提到的滤波器关键技术的研发是采用了高Q值陶瓷介质材料作为谐振器件，融合了低损耗、高Q值微波介质材料仿真技术、HFSS谐振腔仿真技术、温度漂移设计仿真技术、陶瓷介质滤波器表面金属化工艺技术以及高性能陶瓷介质滤波器测试技术等多种技术，具有体积小、Q值大、插损低、稳定性好、承受高功率的特点，可以解决现有技术中滤波器插损大，体积大的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：