[实用新型]一种提升干燥洁净度的晶圆干燥装置有效
申请号: | 202020221218.0 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN211654777U | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 邓信甫;李志峰;徐铭;王雪松;蔡嘉雄 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司;江苏启微半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人: | 蔡岩岩 |
地址: | 200000 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 干燥 洁净 装置 | ||
本实用新型公开了一种提升干燥洁净度的晶圆干燥装置,包括:槽体、设置于所述槽体上方的对开挡门、固定于所述挡门上的喷气机构以及与所述槽体连通的抽气机构;所述槽体包括外槽腔体、固定于所述外槽腔体内的夹层挡裙及提篮固定机构,所述外槽腔体的槽壁内嵌装有加热管件;第一喷气组件包括固定于挡门上的喷流外罩及固定于所述喷流外罩内的导流管,所述导流管上连通有若干个喷嘴,所述导流管包裹式固定有薄膜式加热件。根据本实用新型,通过喷气机构可以将氮气全面包裹于晶圆的表面,氮气通过槽体再经过抽气机构,构成完整的氮气流动路径,而且喷气机构与槽体都具有加热件,大大提高干燥装置的干燥效果。
技术领域
本实用新型涉及干燥装置的技术领域,特别涉及一种提升干燥洁净度的晶圆干燥装置。
背景技术
半导体湿法工艺中通过各种湿法清洗工艺的结合,来对晶圆进行清洗工艺,晶圆在经过各式的湿法工艺后,需要再通过干燥工艺对晶圆进行干燥,由此构成完整的湿法工艺流程。然而在不同的湿法工艺与干燥工艺都需要控制工艺过程的洁净度以及工艺能力,以确保完整的湿法清洗工艺与相关设备的所达到工作需求,由此在担任清洗工艺最后一个环节的干燥工艺中所使用的晶圆干燥装置,很容易就会使晶圆干燥的不透彻或者干燥装置内的洁净度保持不高,而且干燥装置在干燥时经常用异丙醇液体先对晶圆进行浸泡清洗,排放后再向干燥装置内通入加热的氮气,干燥晶圆表面残余的液体,但是加热氮气不控制好流动的路径,容易使氮气不经过晶圆的表面,使得晶圆的表面的水分不会充分干燥完,大大降低了干燥装置对晶圆的干燥效果。
实用新型内容
针对现有技术中存在的不足之处,本实用新型的目的是提供一种提升干燥洁净度的晶圆干燥装置,通过喷气机构可以将氮气全面包裹于晶圆的表面,氮气通过槽体再经过抽气机构,构成完整的氮气流动路径,而且喷气机构与槽体都具有加热件,大大提高干燥装置的干燥效果。为了实现根据本实用新型的上述目的和其他优点,提供了一种提升干燥洁净度的晶圆干燥装置,包括:
槽体、设置于所述槽体上方的对开挡门、固定于所述挡门上的喷气机构以及与所述槽体连通的抽气机构;
所述槽体包括外槽腔体、固定于所述外槽腔体内的夹层挡裙及提篮固定机构,所述提篮固定机构用以固定晶圆提篮及晶圆,所述外槽腔体一相对的侧面上分别开设有通气口,并且外槽腔体与夹层挡裙之间形成一夹层区间,以使氮气从所述夹层挡裙底部进入所述夹层区间至所述通气口流出,所述外槽腔体的槽壁内嵌装有加热管件;
所述喷气机构包括第一喷气组件及与所述第一喷气组件对称设置的第二喷气组件,所述第一喷气组件与第二喷气组件的结构相同,第一喷气组件包括固定于挡门上的喷流外罩及固定于所述喷流外罩内的导流管,所述导流管上连通有若干个喷嘴,所述导流管包裹式固定有薄膜式加热件;
所述抽气机构包括连通于所述槽体一侧的第一抽气组件及与所述第一抽气组件对称设置于所述槽体另一侧的第二抽气组件,所述第一抽气组件与第二抽气组件结构相同。
优选的,所述第二抽气组件包括缓冲件,所述缓冲件连通有通气管道,所述缓冲件包括设有一开口的通气盒及靠近所述开口的通气盒侧面上开设有连接通孔,所述通气盒的开口处固定有第二连接板,所述连接通孔连通有连接筒,所述连接筒固定连接于通气管道。
优选的,喷流外罩包括设有一开口的外罩盒,所述外罩盒上固接有外罩盖板,所述外罩盖板上阵列开设有通气孔。
优选的,导流管上均匀开设有若干连接孔,所述连接孔上连通有喷嘴,所述连接孔的孔径沿导流管两端向中间的方向呈渐进式等比减小。
优选的,外槽腔体包括竖直围栏及间隔固定于所述竖直围栏外周一圈的第一倾斜板与第二倾斜板,所述第一倾斜板与第二倾斜板的中间贯通固接有第一连接板,所述第一连接板上开设有一通口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造