[实用新型]一种4G多通道射频切换电路有效
| 申请号: | 202020212322.3 | 申请日: | 2020-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN211089636U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | 刁鹏君;朱警怡 | 申请(专利权)人: | 深圳市中科联合通信技术有限公司 |
| 主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16 |
| 代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 刘华平 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区南头街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 通道 射频 切换 电路 | ||
本实用新型公开了一种4G多通道射频切换电路,主要解决现有4G多通道射频技术中射频切换隔离度差,切换可靠性低,且模块复杂度高的问题。该射频切换电路包括低通滤波器,与低通滤波器相连的功率放大器,与功率放大器相连的偏置电压电路,与功率放大器输出端相连的PIN开关电路,与PIN开关电路相连的多通道射频模块,与多通道射频模块相连的控制单元和射频通道匹配单元,以及与多通道射频模块的输出端相连的低噪声放大器。通过上述设计,本实用新型利用二极管D1和二极管D2,能使分别通过二极管D1和二极管D2后叠加的射频信号中的部分非线性成分相互抵消,能够改善多通道射频切换电路的隔离度,进而提升多通道射频通路的接收灵敏度。因此,适于推广应用。
技术领域
本实用新型涉及射频通信技术领域,具体地说,是涉及一种4G多通道射频切换电路。
背景技术
在通信领域中,多通道射频设备被广泛应用,例如滤波器、合路器或者塔顶放大器等,随着4G技术的日趋成熟,4G多通道射频技术也被广泛应用于射频通信技术中。
对于具有高速传输速率的4G无线通信技术的发展,作为射频前端电路的重要部件之一的射频切换电路,在信号的隔离度、低耗损、功率容量和切换速度方面的要求越来越高。目前在4G多通道射频传输中,很多射频切换电路采用射频开关切换方式,这样的方式隔离度差,切换可靠性低,且模块复杂度高,不适应通信设备中射频系统技术的发展,迫切需要一种成本低廉,损耗小、高隔离度的射频切换电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种4G多通道射频切换电路,主要解决现有4G多通道射频技术中射频切换隔离度差,切换可靠性低,且模块复杂度高的问题。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种4G多通道射频切换电路,包括低通滤波器,与低通滤波器相连的功率放大器,与功率放大器相连的偏置电压电路,与功率放大器输出端相连的PIN开关电路,与PIN开关电路相连的多通道射频模块,与多通道射频模块相连的控制单元和射频通道匹配单元,以及与多通道射频模块的输出端相连的低噪声放大器;其中,所述PIN开关电路还与控制单元相连。
进一步地,所述PIN开关电路包括二极管D1、二极管D2、隔离电容C1、隔离电容C2以及隔离电容C3;所述二极管D1的阴极分别与所述隔离电容C1以及所述二极管D2的阳极耦接;所述隔离电容C2分别与所述二极管D2的阴极、所述隔离电容C3耦接;所述二极管D1的阳极与所述隔离电容C3的另一端耦接;所述隔离电容C1的另一端与功率放大器输出端和控制单元的控制信号输出端相连,所述隔离电容C2、隔离电容C3的公共端与通道射频模块相连;其中,所有所述二极管D1以及所述二极管D2的导通极性相同。
进一步地,所述多通道射频模块由多路单通道射频通路并联而成。
作为优选,所述射频通道匹配单元为射频通道匹配电容。
进一步地,所述偏置电压电路包括负极接地的偏置电压源US,与偏置电压源US的正极相连的电感L1,以及一端与电感L1另一端相连、且另一端接地的电源控制开关S1;其中,电感L1和电源控制开关S1与功率放大器的输出端相连。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
(1)本实用新型通过设置PIN开关电路,利用二极管D1和二极管D2,能使分别通过二极管D1和二极管D2后叠加的射频信号中的部分非线性成分相互抵消,进而能够改善多通道射频切换电路的隔离度,进而提升多通道射频通路的接收灵敏度。
(2)本实用新型通过设置控制单元输出逻辑控制电平控制PIN开关电路对多通道射频模块的切换,实现通信设备在多通道收发模式下的快速轮询,降低4G多通道射频通信系统的开发难度,提高4G多通道射频通信系统的开发效率,成本低,损耗小。
附图说明
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