[实用新型]一种氧化物半导体基板结构

权利要求书

1.一种氧化物半导体基板结构，其特征在于，基板上设置有栅极，栅极上设置有覆盖栅极的栅极绝缘层，栅极绝缘层上设置有氧化物半导体层和公共电极，氧化物半导体层在栅极的上方，在氧化物半导体层上的一侧设置有源极，在氧化物半导体层上的另一侧设置有漏极，在公共电极上设置有公共电极金属走线，在源极、漏极和公共电极金属走线上设置有覆盖源极、漏极和公共电极金属走线的钝化层，在钝化层上设置有像素电极，像素电极与漏极连接。

2.根据权利要求1所述的一种氧化物半导体基板结构，其特征在于，还包括蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层设置在氧化物半导体层和公共电极上，在氧化物半导体层区域的蚀刻阻挡层上的一侧设置有源极，源极通过氧化物半导体层区域的蚀刻阻挡层上的一侧的孔与氧化物半导体层连接，在氧化物半导体层区域的蚀刻阻挡层上的另一侧设置有漏极，漏极通过氧化物半导体层区域的蚀刻阻挡层上的另一侧的孔与氧化物半导体层连接，在公共电极区域的蚀刻阻挡层上设置有公共电极金属走线，公共电极金属走线通过公共电极区域的蚀刻阻挡层上的孔与公共电极连接。

3.根据权利要求1或2所述的一种氧化物半导体基板结构，其特征在于，所述公共电极为氧化物半导体的导体化结构。