[实用新型]一种耐冲击晶片电阻器有效
申请号: | 202020201757.8 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN211150225U | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 陈智高;蔡东谋;简高柏 | 申请(专利权)人: | 国巨电子(中国)有限公司 |
主分类号: | H01C17/00 | 分类号: | H01C17/00;H01C17/22;H01C17/28;H01C7/00 |
代理公司: | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人: | 杨瑞玲;朱亦倩 |
地址: | 215011 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冲击 晶片 电阻器 | ||
本实用新型公开了一种耐冲击晶片电阻器,包括基板和设置在所述基板上的电阻层,所述基板具有上表面,该上表面上具有第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极均与所述电阻层搭接;所述基板为片状长条,所述第一电极和第二电极均为导电片,所述第一电极和第二电极以所述基板上表面的长边方向的中心线为轴,对称设置在所述基板的上表面。本实用新型所述的晶片电阻器不需经过激光修整精度,且只需印一层电阻层,相比现有技术中的晶片电阻器其具有优良的耐冲击性能,和较短的产品生产周期。
技术领域
本实用新型涉及电阻器领域,尤其涉及一种耐冲击晶片电阻器。
背景技术
随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求,对电子电路性能不断地提出新的要求,片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。
现有技术制作的电阻器因需要经过激光的切割来修整阻值精度,因此其耐冲击的能力较为不足,在脉冲较大的电路中其风险相对较高;同时,因晶片电阻器在加工的过程中需要经过激光修整阻值精度,所以坯料的生产周期加长,加工效率不高;进一步的,因加工电阻器的电阻层时会加印一层电阻料,其坯料的加工时间又进一步的拉长。
因此,亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题,给市场提供一种既能高效生产又具有较优良的耐冲击性能的晶片电阻器。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决现有技术中存在的问题,给市场提供一种耐冲击晶片电阻器。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
一种耐冲击晶片电阻器,包括基板和设置在所述基板上的电阻层,
进一步的,所述基板具有上表面,该上表面上具有第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极分别与所述电阻层搭接;
进一步的,所述基板为片状长条,所述第一电极和第二电极均为导电片,所述第一电极和第二电极对称设置在所述基板的上表面,且所述第一电极和第二电极均以所述基板上表面的长边方向的中心线为轴。
进一步的,所述第一电极和第二电极相对设置,且第一电极和第二电极之间具有间隙,所述电阻层横跨间隙上方并贴覆在所述第一电极和第二电极上。
进一步的,所述电阻层为长条形,且所述电阻层的长度方向与所述基板的长度方向一致,且所述电阻层的长边方向的中心线与所述基板的长边方向的中心线重合。
进一步的,所述第一电极和第二电极对称连接于所述电阻层的相对短边处。
进一步的,所述电阻层的长边长度小于所述基板的长边长度。
进一步的,所述电阻器包括一层电阻层。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1.本实用新型所述晶片电阻器的精度调整是通过前期的试验进行数据推算得到的,不需经过激光修整精度,相比现有技术制得的电阻器,其耐冲击能力更强,对脉冲的适应性也会提升,相应的,加工过程中也可以不用或者减少使用激光修整设备,如此便节省了加工工序保证了电阻器的阻值精度;
2.本实用新型所述晶片电阻器的加工是通过预制电阻器进行的,将预制的试验电阻器作为样本,对其阻值分布进行测量,在根据电阻阻值与电阻长度成正比的基本原理,推算出电阻阻值与电阻器内的电极跨距的关系,在根据目标阻值进行推算,得到目标阻值所需的电极跨度,然后根据电极跨度有目的的进行加工,如此制得的电阻器有数据支撑,不论是后期改良还是重新制作都有理论依据,且一旦制作成功,后期加工产品的一次合格率会大幅提高,如此便有利于节约材料成本、时间成本和人工成本;
3.本实用新型所述晶片电阻器的加工因不需激光修整精度,因此相比现有技术其加工周期缩短,节省了加工时间,提高了生产效率;
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