[实用新型]样片自动清洗蚀刻装置有效
| 申请号： | 202020178346.1 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN211238178U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 巫海苍;周颖聪;宋一品;梁寒潇 | 申请（专利权）人： | 苏州极刻光核科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京卓唐知识产权代理有限公司 11541 | 代理人： | 崔金 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 样片 自动 清洗 蚀刻 装置 | ||
1.一种样片自动清洗蚀刻装置，其特征在于，包括：
底座和支架；
烧杯架、旋转轴和驱动单元，所述烧杯架通过所述旋转轴与所述驱动单元连接，所述驱动单元通过支架与所述底座连接；
花篮，设置在所述底座上方，与所述驱动单元连接的用于承载样片的容器；
所述烧杯架上至少承载2个烧杯，所述驱动单元通过所述旋转轴带动所述烧杯架上的烧杯旋转至花篮下方，所述花篮在所述驱动单元的带动下置入所述烧杯中，并与烧杯中的液体发生反应。
2.根据权利要求1所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，包括设置在所述底座上用于对所述烧杯进行加热的加热台。
3.根据权利要求2所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述加热台设置在所述花篮的下方。
4.根据权利要求2所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述包括固定在所述支架上的气枪嘴和注液口。
5.根据权利要求4所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述气枪嘴临近所述花篮设置。
6.根据权利要求4所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述注液口设置在对应所述烧杯的运动轨迹线上。
7.根据权利要求2所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述驱动单元包括与所述花篮连接的升降电机和超声波振动器。
8.根据权利要求7所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述花篮通过长柄与所述升降电机以及所述超声波振动器连接。
9.根据权利要求1所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述烧杯架上至多承载4个烧杯。
10.根据权利要求1所述的自动清洗蚀刻装置，其特征在于，所述驱动单元内置于所述支架中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
