[实用新型]一种硅基阵列叠层太阳能电池

权利要求书

1.一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和顶电池结构，其特征在于，所述顶电池结构层叠于所述底电池结构之上，所述底电池结构包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO₂绝缘层以在所述n型单晶硅衬底的中央区域形成受光窗口，所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底上刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，在所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底及所述纳米孔周期阵列结构的纳米孔内壁制备p型掺杂层，所述n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；所述顶电池结构由下至上依次包括TiO₂薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，所述TiO₂薄膜层层叠于所述SiO₂绝缘层和所述p型掺杂层之上并填充嵌入所述纳米孔内；所述金属电极和所述金属薄膜层分别引出作为导电电极对外电路供电。

2.根据权利要求1所述的硅基阵列叠层太阳能电池，其特征在于，所述纳米孔周期阵列结构的周期为200～900nm，所述纳米孔周期阵列结构的纳米孔的直径为50～800nm，深度为100～1000nm，所述纳米孔周期阵列结构的占空比为0.4～0.8。

3.根据权利要求1所述的硅基阵列叠层太阳能电池，其特征在于，所述TiO₂薄膜层的层叠于p型掺杂层表面的厚度为100～150nm。

4.根据权利要求1所述的硅基阵列叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸收层的厚度为100～500nm。

5.根据权利要求1所述的硅基阵列叠层太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层为氧化镍、氧化钨、Spiro-OMeTAD之一，厚度为150～800nm。

6.根据权利要求1所述的硅基阵列叠层太阳能电池，其特征在于，所述金属电极的材料为Au、Ag、Al、Gu、Pt之一，厚度为10～500nm。