[实用新型]一种TOPCon电池双面镀膜设备

说明书

本实用新型提供一种TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔上设有炉口所述真空炉腔上设有炉口，包括硅片载具和电极组结构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在载板升降模组的驱动下带动硅片载具移动；所述电极组结构能够在电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离；所述真空炉腔底部设有抽真空接口。

技术领域

本实用新型涉及用于太阳能电池表面的镀膜设备。

背景技术

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触)作为一种新型钝化技术已经成为研究热点，该技术是在电池表面生成一层超薄的可隧穿的氧化层和一层高掺杂的多晶硅层，氧化层的钝化作用和高掺杂多晶硅层的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，同时高掺杂的多晶硅层对于多子来说具有良好的传导性，因而TOPCon电池具有高的开路电压和填充因子。

现有技术中的一种双面TOPCon电池表面钝化方法，通常按照以下步骤来执行：首先，对硅片进行清洗制绒、硼扩散、刻蚀、湿氧化（或下一步进行热氧化）等工艺处理；然后，利用LPCVD设备对硅片进行热氧化（或上一步进行湿氧化）、利用LPCVD设备进行本征硅生长，再通过热扩散掺杂工艺或者离子注入掺杂工艺或直接利用LPCVD设备进行原位掺杂工艺；然后利用湿法工艺去除绕扩绕镀层；然后，有两种方式，方式1利用ALD设备对非掺杂面进行氧化铝薄膜生长后再利用PECVD设备分别对硅片两面进行氮化硅薄膜生长，方式2直接利用管式二合一PECVD设备对硅片的非掺杂面进行氧化铝薄膜生长后，切换氮化硅薄膜生长，再利用PECVD设备对硅片另一面进行氮化硅薄膜生长。最后再对硅片两面进行金属化工艺。

在上述方法中，利用ALD设备和PECVD设备进行薄膜生长，硅片需要取放转移较多次，多次取放硅片，吸盘会对纳米级薄膜产生损伤。利用二合一PECVD和PECVD设备进行薄膜生长可以减少一次硅片取放转移，但同样存在由于硅片在石墨舟中竖直放置，由三个卡点固定，近卡点位置产生卡点印，另外硅片也没有完全贴合石墨片，导致硅片表面薄膜生长不均匀，无法快速高效的实现光伏电池的自动化生产。因此亟需一种一次工艺实现正反两面的镀膜，而且过程无绕镀的TOPCon电池双面镀膜设备。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种TOPCon电池双面镀膜设备，能够克服背景技术中的问题，填补双面镀膜技术的空白。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是：

一种TOPCon电池双面镀膜设备，所述真空炉腔上设有炉口，包括硅片载具和电极组结构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在载板升降模组的驱动下带动硅片载具移动；所述电极组结构能够在电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离；所述真空炉腔底部设有抽真空接口。

进一步地，所述硅片载具包括框架，所述框架内为一个镂空区域，设有隔离支架，所述隔离支架将框架内的镂空部位隔离成至少两个镂空区域，所述镂空区域设有卡点，所述卡点位于所述镂空部位的内侧壁上，且设置在内侧壁上靠近下表面的位置。

进一步地，所述框架的一侧设有安装部位，所述安装部位用于将框架安装固定；所述安装部位上设有至少一个安装孔，所述安装孔最好沿所述框架的中心线对称；所述硅片载具还包括安装杆，所述安装杆与所述安装孔一一对应，所述框架通过安装孔套装在安装杆上。

进一步地，所述炉门连接在载板升降组件上；所述载板升降组件包括第一载板升降驱动件，所述第一载板升降驱动件通过驱动件支架固定连接在炉门上表面；所述载板升降组件包括载板升降驱动杆，所述炉门上设有能够允许载板升降驱动杆穿过的开孔，所述载板升降驱动杆能够穿过所述炉门连接所述硅片载具。