[实用新型]存储器有效
申请号: | 202020139538.1 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN212991098U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 王建芳;郭鹏;李宝玉;王远保 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 | ||
1.一种存储器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底中形成有多个有源区;
多条位线结构,形成在所述衬底上,并利用相邻的位线结构界定出节点接触窗,所述节点接触窗的底部还延伸至所述衬底中,并暴露有至少部分有源区;以及,
多个节点接触部,填充在所述节点接触窗中并和所述有源区电性连接,以及所述节点接触部中形成有至少两个空隙。
2.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述至少两个空隙包括第一空隙和第二空隙,所述第一空隙位于所述第二空隙的下方,并且所述第一空隙的最大宽度尺寸大于2倍的所述第二空隙的最大宽度尺寸。
3.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述至少两个空隙包括第一空隙和第二空隙,所述第一空隙位于所述第二空隙的下方,并且所述第一空隙和所述第二空隙沿着高度方向的中心线相互偏离。
4.如权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述第一空隙在相邻的两个位线结构之间相对于其中一个位线结构更偏向于另一个位线结构,所述第二空隙位于相邻的位线结构之间的中间位置。
5.如权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述空隙的顶部不低于邻近的任一位线结构的底部。
6.如权利要求5所述的存储器,其特征在于,所述至少两个空隙包括第一空隙和第二空隙,所述第一空隙位于所述第二空隙的下方,所述第一空隙的至少顶部介于相邻的位线结构相互正对的区域中,第二空隙的顶部和底部均介于相邻的位线结构相互正对的区域中。
7.一种存储器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底中形成有多个有源区;
多条位线结构,形成在所述衬底上,并利用相邻的位线结构界定出节点接触窗,所述节点接触窗的底部还延伸至所述衬底中,并暴露有至少部分有源区;以及,
多个节点接触部,填充在所述节点接触窗中并和所述有源区电性连接,以及所述节点接触部中形成有至少一个空隙,所述至少一个空隙包括第一空隙;
其中,所述位线结构包括依次形成在所述衬底上的第一导电层、第二导电层和第三导电层,以及所述第一空隙的顶部介于相邻的位线结构中两个第一导电层相互正对的区域中。
8.如权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述至少一个空隙还包括第二空隙,所述第二空隙位于相邻位线结构中的两个第三导电层相互正对的区域中。
9.一种存储器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底中形成有多个有源区;
多条位线结构,形成在所述衬底上,并利用相邻的位线结构界定出节点接触窗,所述节点接触窗的底部还延伸至所述衬底中,并暴露有至少部分有源区;以及,
多个节点接触部,填充在所述节点接触窗中并和所述有源区电性连接,以及所述节点接触部中形成有至少一个空隙;
其中,所述至少一个空隙包括第一空隙,所述第一空隙的至少顶部介于相邻的位线结构相互正对的区域中,并且所述第一空隙在相邻的两个位线结构之间相对于其中一个位线结构更偏向于另一个位线结构。
10.如权利要求9所述的存储器,其特征在于,所述位线结构底部的外侧壁上形成有凹陷,所述凹陷的开口横向暴露于相邻的位线结构之间的间隙中,以及所述节点接触部形成在相邻的位线结构之间,并填充所述凹陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的