[实用新型]一种手术床负载驱动电路和手术床

权利要求书

1.一种手术床负载驱动电路，其特征在于，包括：微控制器MCU、MOS管驱动器和降压拓扑电路；

所述微控制器MCU的输出端与所述MOS管驱动器的输入端相连，所述微控制器MCU接收负载调速信号，并向所述MOS管驱动器输出脉冲宽度调制PWM信号；

所述MOS管驱动器的输出端与降压拓扑电路的控制端相连，所述MOS管驱动器基于接收到的所述PWM信号生成开关信号，并输入所述降压拓扑电路；

所述降压拓扑电路的负载端与负载相连，所述降压拓扑电路基于所述开关信号控制所述降压拓扑电路中的主功率开关管的栅极驱动信号的电平在一个脉冲周期内持续处于高电平状态。

2.根据权利要求1所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，所述微控制器MCU包括第一输出端和第二输出端，所述微控制器MCU的第一输出端与所述MOS管驱动器的第一输入端相连，所述微控制器MCU的第二输出端与所述MOS管驱动器的第二输入端相连。

3.根据权利要求1所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，还包括：反相器；

所述微控制器MCU包括一个输出端，所述微控制器MCU的输出端与所述MOS管驱动器的第一输入端相连，所述微控制器MCU的输出端通过所述反相器与所述MOS管驱动器的第二输入端相连。

4.根据权利要求1-3任一项所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，所述降压拓扑电路包括：第一开关MOS管Q1、第二开关MOS管Q2、电感L、第一电容Cin和第二电容Co，所述第二开关MOS管Q2为主功率开关管；

所述第一开关MOS管Q1的栅极与所述MOS管驱动器的第一输出端相连，所述第二开关MOS管Q2的栅极与所述MOS管驱动器的第二输出端相连；

所述第一开关MOS管Q1的漏极与所述第一电容Cin的正极相连，所述第二开关MOS管Q2的源极接地；

所述第一开关MOS管Q1的源极与所述第二开关MOS管Q2的漏极相连并构成第一公共端，所述第一公共端与电感L的一端相连；

所述电感L的另一端与所述第二电容Co的一端相连并构成第二公共端，所述第二公共端构成所述降压拓扑电路的输出端负极；

所述第二电容Co的另一端通过所述第一电容Cin的正极相连并构成第三公共端，所述第三公共端构成所述降压拓扑电路的输出端正极。

5.根据权利要求4所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，所述第一开关MOS管或所述第二开关MOS管为N沟道增强型MOS管。

6.根据权利要求5所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，所述第二开关MOS管包括N沟道增强型MOS管。

7.根据权利要求1所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，所述微控制器MCU的输出端与所述MOS管驱动器的输入端相连，包括：

所述微控制器MCU包括一个输出端，所述微控制器MCU的输出端与所述MOS管驱动器的任一输入端相连。

8.根据权利要求7所述的手术床负载驱动电路，其特征在于，所述降压拓扑电路包括：肖特基二极管SBD、第二开关MOS管Q2、电感L、第一电容Cin和第二电容Co，所述第二开关MOS管Q2为主功率开关管；

所述第二开关MOS管Q2的栅极与所述MOS管驱动器的第二输入端相连，所述第二开关MOS管Q2的源极接地；

所述肖特基二极管SBD的负极与所述第一电容Cin相连；

所述第二开关MOS管Q2的漏极与所述肖特基二极管SBD的正极相连并构成第一公共端，所述第一公共端与电感L的一端相连；

所述电感L的另一端与所述第二电容Co的一端相连并构成第二公共端，所述第二公共端构成所述降压拓扑电路的输出端负极；

所述第二电容Co的另一端与所述肖特基二极管SBD的负极相连并构成第三公共端，所述第三公共端构成所述降压拓扑电路的输出端正极。