[实用新型]一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 202020137938.9 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN211088741U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 杨沅钊;李迈克;张林 申请(专利权)人: 中合博芯(重庆)半导体有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/062
代理公司: 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 代理人: 穆祥维
地址: 401573 重庆市合川区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 调出 波长 新型 发射 垂直 激光器
【权利要求书】:

1.一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器,包括高反射率的DBR结构层,所述DBR结构层表面形成有有源区域,其特征在于,所述有源区域表面形成有质子注入层,所述质子注入层表面形成有液晶盒层,所述液晶盒层包括顺序层叠的液晶阳极、液晶盒和液晶阴极,所述液晶盒包括相对配置的下取向层和上取向层及设置在上下取向层边缘的封框胶,所述上下取向层和封框胶围成的液晶盒体内灌注有液晶和散布有隔离球,所述DBR结构层底面还形成有增透膜层和VCSEL阴极层,所述增透膜层位于DBR结构层底面中部而VCSEL阴极层位于增透膜层的两边,且所述增透膜层的中心与DBR结构层上共轴设置的有源区域、质子注入层和液晶盒层的中心轴线重合。

2.根据权利要求1所述的可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述DBR结构层的反射率大于99%。

3.根据权利要求1所述的可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述液晶盒层贴合在质子注入层表面。

4.根据权利要求1所述的可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述增透膜层与DBR结构层上共轴设置的有源区域、质子注入层和液晶盒层的宽度相等。

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