[实用新型]一种太赫兹超材料传感器有效
| 申请号： | 202020126643.1 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN212228734U | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陆亚林;殷明;王建林;杨萌萌;马天;黄浩亮;黄秋萍;傅正平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01N21/3586 | 分类号： | G01N21/3586;G01N21/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 材料 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种太赫兹超材料传感器，其特征在于，包括单元结构；所述单元结构包括柔性基底与设置在柔性基底上的非对称开口环结构。
2.根据权利要求1所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述柔性基底为聚酰亚胺基底，所述非对称开口环结构为非对称开口金环结构。
3.根据权利要求1所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述柔性基底的厚度为25μm。
4.根据权利要求1所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述非对称开口环结构的厚度为200nm。
5.根据权利要求1所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述单元结构的周期为75μm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述非对称开口环结构的外半径为30μm，内半径为25μm。
7.根据权利要求1所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述非对称开口环结构的开口间隙为2个。
8.根据权利要求7所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述非对称开口环结构的开口间隙均为5μm。
9.根据权利要求7所述的太赫兹超材料传感器，其特征在于，所述非对称开口环结构的开口间隙中线与垂直直径的夹角均为20°，且两个开口间隙位于非开口环结构垂直直径的一侧。
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